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理想的电源是什么样?(电压源和电流源)

理想的电源是什么样?(电压源和电流源)

理想电压源与理想电流源分别定义为零输出阻抗与无限大输出阻抗,前者维持电压恒定,后者保持电流不变。从信号链角度看,理想电源还要求无噪声、无纹波、无瞬态扰动且全频段低阻抗,而实际电源只能通过基准、LDO、滤波与去耦等手段逼近这一目标。 任意一个电路本质上都是电源(

SoC测试:复杂芯片时代的质量保障体系

SoC测试:复杂芯片时代的质量保障体系

SoC高度集成CPU、AI加速、射频等功能,性能提升同时使测试验证难度骤增。从功能测试到DFT,再到IEEE 1500标准化与AI辅助优化,测试体系正成为保障良率、控制成本的关键环节,未来还将延伸至Chiplet与三维封装领域。 SoC集成化发展带来的测试挑

一文了解3D NAND存储芯片发展及工作原理与失效机制

一文了解3D NAND存储芯片发展及工作原理与失效机制

从ITRS到IRDS,半导体路线图正从晶体管微缩转向系统级集成与新材料探索。作为三维集成典范,3D NAND通过垂直堆叠与多值存储持续提升密度,但电荷俘获、横向迁移等失效机制对可靠性提出新挑战,需结合失效建模与预测策略加以应对。 半导体发展概述 国际半导体技术

湿法刻蚀中的介质层与金属层加工:从SiO₂到金属互连的化学控制

湿法刻蚀中的介质层与金属层加工:从SiO₂到金属互连的化学控制

本文主要介绍了湿法刻蚀中的介质层与金属层加工。 湿法刻蚀 在半导体制造工艺中,湿法刻蚀不仅广泛应用于硅材料本身的加工,更重要的价值体现在介质层与金属薄膜的选择性图形化过程中。无论是栅介质、隔离层、钝化层,还是后续互连结构中的金属布线,其表面加工质量都直接决定器

在深海,在深空,该如何进行通信?

本文主要介绍了在深海,在深空,该如何进行通信。 保持好奇心的少年,你是否有很多问号? 在深海,在深空,该如何进行通信? 希望今天这篇文章,可以让你我都找到答案。 在深海:用声波“对话” 在深海环境中,海水对电磁波的衰减随频率升高而急剧增加。 对于常规无线电(k

什么是Teflon(特氟龙)?

什么是Teflon(特氟龙)?

本文主要介绍了什么是Teflon(特氟龙)。 Teflon是什么? Teflon是聚四氟乙烯(PTFE,Polytetrafluoroethylene)的商品名,由美国杜邦公司(DuPont)注册,现在已经成为这类材料的通用叫法。 化学结构非常简单: 碳链骨

一文了解激光雷达探测技术及工作方式

一文了解激光雷达探测技术及工作方式

本文介绍了激光雷达探测技术不同工作模式的对比。 一、激光雷达概述 激光雷达(Light detection and ranging, LiDAR)使用目标点云/像素的距离值来估计目标的三维(Three-dimensional, 3D)形状,在自动驾驶、机器人导

键合技术如何让半导体越叠越高

键合技术如何让半导体越叠越高

本文介绍了键合及其应用。 在半导体行业追求更高性能、更低功耗的道路上,单纯缩小晶体管尺寸已经越来越难。于是,工程师们换了一个思路:既然横向不能无限缩小,那就纵向堆叠——把不同的芯片像盖楼一样一层层叠起来。这项让芯片“长高”的核心技术,就是键合技术。 键合是什

等离子体刻蚀机制:从物理溅射到原子级方向性控制

等离子体刻蚀机制:从物理溅射到原子级方向性控制

本文介绍了等离子体刻蚀的刻蚀原理。 在现代半导体制造中,干法刻蚀之所以能够实现高深宽比结构加工与纳米尺度图形转移,其核心并不只是“利用等离子体进行刻蚀”这么简单,更关键的是对等离子体内部不同刻蚀机制的精确调控。等离子体环境本身极其复杂,其中既存在高能离子轰击,

断层X射线粒子追踪测速技术

断层X射线粒子追踪测速技术

流场测量是流体力学研究的核心基础,本文将介绍断层X射线粒子追踪测速技术。 流场测量是流体力学研究的核心基础。传统的粒子图像测速和粒子追踪测速依靠可见光成像,一旦遇到不透明容器、多孔材料或者存在大量折射界面的多相流系统,就会完全失效。长期以来,研究者只能通过宏观

芯片开封(Decap)技术全解析:从原理到实操的专业指南

芯片开封(Decap)技术全解析:从原理到实操的专业指南

本文将介绍芯片开封。 芯片开封 (Decap) 的含义与应用价值 芯片开封 (Decapsulation,简称 Decap),业内也称开盖、开帽,是指通过物理或化学手段,在不损坏芯片内部核心结构与功能的前提下,精确移除包裹芯片的外部封装体,暴露出内部晶粒 (D

电子衍射束的动力学理论(二)

电子衍射束的动力学理论(二)

本文将继续介绍电子衍射束的动力学理论,主要介绍柱近似与图像计算与近似范围。 柱近似与图像计算 有了衍射强度的计算公式,我们就可以计算实际的 TEM 图像了。但这里还有一个问题:严格来说,晶体下表面某一个点 P 的衍射强度,并不是只来自它正上方的那一条直线上的原

芯片制造前沿技术:原子层刻蚀(ALE)

芯片制造前沿技术:原子层刻蚀(ALE)

本文将介绍芯片制造的刻蚀工艺中的原子层蚀刻(Atomic Layer Etching, ALE)。 ALE工艺概述 随着半导体技术的发展,先进芯片的关键尺寸不断缩小,甚至要求具有复杂的三维结构,如FinFET和3D NAND闪存。这些技术的发展对刻蚀工艺提出了

光刻胶:从光学成像到化学放大的图形转化过程

光刻胶:从光学成像到化学放大的图形转化过程

本文将介绍芯片制造的光刻胶。 光刻胶 很多人将光刻简单理解为“用光把图案印到硅片上”,但从材料角度来看,曝光仅仅只是第一步。曝光后的光场进入光刻胶内部后,会在胶层中发生吸收、散射与能量衰减,并诱导光敏组分发生化学变化,形成所谓的“潜像”。这种潜像并不是肉眼可见

电子衍射束的动力学理论(一)

电子衍射束的动力学理论(一)

本文将介绍电子衍射束的动力学理论,主要介绍衍射本质、消光距离等物理概念以及衍射束强度公式。 透射电镜(TEM)能让我们看到晶体里原子级别的细节,而图像里的明暗变化,本质上都来自高能电子束和晶体原子的相互作用。 当电子束穿过晶体时,只要原子面的角度刚好满足布拉格

面向AI芯片的VPD技术是什么?

面向AI芯片的VPD技术是什么?

本文将介绍供电体系的垂直供电(Vertical Power Delivery,VPD)现状和发展趋势。 AI芯片供电为何面临瓶颈 随着AI处理器功耗迈入千瓦级别,供电体系正在从传统的平面供电向垂直供电(Vertical Power Delivery,VPD)演

Cryo Etching技术介绍

Cryo Etching技术介绍

3D NAND垂直堆叠层数攀升,高深宽比刻蚀面临速率与轮廓双重挑战。低温刻蚀技术通过在-100°C左右精准控温,提升刻蚀速率并降低碳足迹,结合人工智能辅助参数优化,成为400层以上存储芯片制造的关键工艺。 随着3D NAND闪存垂直堆叠层数不断增加,制造过程中

扫描电镜菊池衍射几何(EBSD,RKD,TKD)的比较

扫描电镜菊池衍射几何(EBSD,RKD,TKD)的比较

直接电子探测器的微型化催生了EBSD、RKD、同轴TKD与离轴TKD四种菊池衍射几何。它们分别适用于块体、原位、纳米等不同场景。研究通过衍射球重建统一比较,发现TKD在高阶特征分辨率上显著优于反射模式,而能量过滤与畸变控制是提升精度的关键。 近年来,紧凑型直接

“天机”类脑芯片,到底在“类”什么?

“天机”类脑芯片,到底在“类”什么?

大脑天生擅长多任务并行,启发出类脑计算这一颠覆性方向。从“天机”芯片到生物计算机CL1,类脑技术正从科幻走向现实。想成为类脑智能科学家,需打好数学与生物学基础,培养跨学科思维与动手能力。 人人都惊叹大脑有多神奇! 你骑车赶路时,大脑同时调控身体平衡、识别路况,

高分辨透射电镜(HRTEM)技术解读

高分辨透射电镜(HRTEM)技术解读

HRTEM 利用电子波动性实现原子级成像,是材料科学核心表征工具。基于相位衬度与衬度传递函数,通过球差与散焦平衡、包络阻尼及样品制备,在界面、准晶、单原子成像等领域揭示材料微观结构。 高分辨透射电子显微镜,简称 HRTEM,是材料科学和凝聚态物理研究里最核心的