ATG（地空通信），真的能成功吗？
本文介绍了ATG（地空通信）是什么，怎么实现。 到底什么是ATG？ 我们先来回顾一下，到底什么是ATG。 ATG，就是Air To Ground，空对地通信，也叫地空通信。 ATG是一种非常特殊的通信技术，专门为天上的飞机提供服务。 简单来说，就是沿着飞机的
专栏文章列表（246）
Electronic Specialty Gases是什么？在芯片制造中有什么作用
电子特种气体是纯度达到99.999%（5N）以上的特种气体，是半导体、显示面板、光伏等高科技产业制造过程中的关键材料。在集成电路从裸硅片到成品芯片的晶圆制造全流程中，超过一半的工序要用到电子特种气体。芯片制造需经历上千道工序，约70%的环节依赖电子特气。这些气
AI芯片的封装基板越做越大趋势
本文介绍了AI芯片的封装基板越做越大趋势。 从图片可以清楚看到，先进封装的基板尺寸正在快速膨胀。这背后是AI芯片对算力和带宽的无尽渴求。 图(a)是比较“传统”的配置：一颗逻辑芯片加上四颗HBM（高带宽内存），通过中介层连接，再整体贴在积层基板上。这是两年前
EUV光源为什么要用锡液滴？
EUV光是怎么发出来的？先把锡变成等离子体，用超高功率激光(CO₂ 激光)聚焦轰击锡靶,瞬间把锡加热到几十万度。这么高的温度下,锡原子的外层电子被剥离掉很多个,变成高电离态离子—失去 8~14 个电子,形成 Sn⁸⁺ 到 Sn¹⁴⁺ 这样的多价离子。 再是电子
刻蚀选择比不稳怎么办？各向异性、均匀性、残留和过刻逐项确认
本文将介绍刻蚀选择比决定因素和刻蚀不稳定性排除思路。 选择比不稳时，第一反应不要只盯刻蚀速率，更不要直接把功率、时间、气体流量一起改。 很多刻蚀异常看起来都是“没刻干净”或“刻过了”，但真正要分开判断的是三件事：选择比有没有变化；各向异性有没有变差；片内、片间
先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升
本文将介绍先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升。 传统的“大芯片"的局限 在AI芯片的设计中，算力和带宽的竞赛正在把封装技术推向极限。传统的“一颗大芯片搞定一切”的做法已经难以为继，取而代之的是把大芯片拆成多个小芯片（芯粒），再用先进封装拼在一起。这个转变，正在
半导体所在混合神经形态光电伊辛机研究中取得进展
组合优化问题广泛存在于金融、物流、机器学习等领域。传统“冯·诺伊曼”架构在处理规模日益庞大的问题时面临显著瓶颈。光电伊辛机利用物理系统的动力学演化进行本征并行求解，是实现大规模组合优化硬件加速的重要技术路线。然而，其底层物理载体的连续模拟特性与伊辛模型离散二元
存储芯片：从DRAM制程微缩到NAND层数堆叠
本文将介绍存储芯片领域的DRAM和NAND Flash路线。 在存储芯片领域，DRAM和NAND Flash走着两条截然不同的技术演进路线——DRAM在不断缩小线宽，NAND在不停增加层数。图片展示的正是这种并行推进的“双轨制”创新。 DRAM Flash
热界面材料的特性和分类
本文将介绍热界面材料的特性和分类。 随着工业芯片封装技术持续迭代升级，工业电子器件的综合性能大幅提升，但器件工作功耗与产热量也随之大幅增长，散热压力显著增大。在此背景下，热界面材料（Thermal Interface Materials，TIM）成为芯片热管理
光刻机核心子系统及其功能介绍
本文将介绍光刻机核心子系统及其功能。 光刻机是集成电路制造中最为关键的核心设备，其本质是一台超精密的投影式照相系统，任务是将掩模版上的微纳电路图形以极高保真度“印刷”到涂有光刻胶的硅片上。 衡量光刻技术等级和经济性的主要指标有三项：分辨率，即光刻机能够转印的最
一只MOS晶体管是如何制造出来的？
本文将介绍制造MOS晶体管的工艺流程。 理解MOS工艺，关键并不在于记住多少层氧化膜、多少块掩膜版，而在于弄清楚每一道工序如何影响晶体管的导通、关断和可靠性。 MOSFET如何控制电流 以n沟增强型MOSFET为例，器件通常形成在p型硅衬底上，两侧为重掺杂n型
半导体电子束量测与检测技术介绍
本文将介绍半导体电子束量测与检测技术。 从光学到电子束 在半导体制造领域，对微观结构的观测能力直接决定了芯片制造的精度与良率。随着芯片特征尺寸不断缩小，传统光学观测手段逐渐逼近其物理极限。根据瑞利判据，光学系统的分辨率受限于照明光源的波长。 为了突破这一瓶颈，
CMOS制造流程与关键工艺约束
CMOS 工艺是集成电路核心技术，核心是在同一块硅片上集成 NMOS 和 PMOS。本文梳理其核心流程，聚焦工艺复杂度、尺寸偏差、锁定效应、静电保护四大关键问题，解析行业应对策略。 CMOS工艺 CMOS工艺的重点，是在同一块硅片上同时做出NMOS和PMOS，
晶圆曲率法：测薄膜应力的百年技术，为什么至今仍是金标准？
薄膜残余应力是现代制造的核心关注点，其失控会引发器件失效，可控应力则能提升性能。本文以百年经典的晶圆曲率法为核心，解析其原理、技术迭代，结合实验揭示应力演化机制与工业应用价值。 小到手机芯片的金属互连线，大到航空发动机的热障涂层，再到日常眼镜片的减反膜 ——
什么是射频前端RFFE？手机信号好坏和它有什么关系？
射频前端（RFFE）是手机通信的 “信号关口”，却常被忽视。本文拆解其核心组成与工作原理，解析 5G 时代其重要性提升的原因，对比滤波器技术路线，剖析国产替代难点与未来发展方向。 很多人评价一部手机时，会看处理器、屏幕、影像、快充和电池，却很少关注一个隐藏在机
TaC涂层是什么？在半导体制造中有什么作用？
碳化钽（TaC）涂层凭借超高温稳定性与优异化学惰性，成为半导体高温工艺的关键防护材料。本文解析其 CVD 制备工艺，聚焦 SiC 长晶、GaN/SiC 外延等核心应用场景，梳理行业需求逻辑与国产替代趋势。 碳化钽（TaC）属于超高温陶瓷材料，熔点高达约388
玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板有什么区别？
先进封装领域玻璃相关名词极易混淆：玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板。四者属于包含、功能分层关系，并非等同替代关系。本文以城市交通类比清晰划分定义、功能定位与工艺侧重点，厘清行业常见混用误区。 最近讲先进封装，经常会看到几个词：玻璃基板、玻璃载板、
RDL电镀厚度不均，先查光刻开口、电流密度还是搅拌条件？
先进封装 RDL 铜电镀厚度不均诱因复杂，包含光刻图形、种子层、电场、传质、药液多维度因素，不可盲目调整电流与电镀时长。文中给出标准化排查逻辑：先通过厚度 Map 判定不均类型，再按光刻开口→种子层→电流参数→搅拌槽液的顺序定位根因。 RDL电镀厚度不均时，
EBSD中的能量过滤
EBSD 作为晶粒取向表征核心技术，过往对图案形成物理机制研究不足。Alwyn Eades 团队通过能量过滤技术，系统探究不同能量背散射电子的衍射贡献，验证了该技术对图案衬度、空间分辨率的提升效果，填补了底层机理认知空白。 电子背散射衍射（EBSD）是材料表征
从硅片到芯片：集成电路制造全流程解析
集成电路制造是数百道精密工艺协同的复杂工程，核心是在硅晶圆上通过重复循环构建晶体管与互连网络。本文从晶圆制备、光刻、沉积刻蚀、掺杂改性到互连封装，拆解芯片制造全流程，解析各环节核心原理与技术难点。 从一片硅到一枚芯片：集成电路制造究竟经历了什么？ 一枚集成电