VisIC下一代GaN功率芯片上车，助电动车单次充电跑更远

VisIC 与 AVL 将 D³GaN 功率模块集成到演示电动车，并采用恩智浦技术。测试显示，氮化镓逆变器效率超过 99.8%，能量损耗降低超过 60%，有助于提升电动车能效和续航。

一颗SiC器件的旅程，从衬底到终端，要经过多少双手？         功率半导体行业最深刻的变革不在实验室，而在产业链的协作方式。氮化镓从消费电子杀向车载充电，碳化硅从高端车型下探至主流市场，光储系统从单一发电走向智能调度——每一轮技术跃迁，都在倒逼产业链从"各自为战"转向"链式协同"。         但协同的代价是复杂的，每一家企业都是链条上的关键节点，但节点之间的接口标准、数据共享、风险共担

明日下午1:30，西安高新美居酒店，功率半导体行业的一场"现场实验"即将启动。         不是线上直播的隔屏观望，不是白皮书的纸上谈兵——是六位技术负责人带着真实数据、量产案例、失效样品，站在你面前，回答那些搜索引擎给不了答案的问题： 氮化镓从消费电子杀向车载，意法半导体如何定义技术边界？ 光储系统的芯片协同控制，上海贝岭的全系列方案到底省了多少BOM成本？ 威兆半导体的器件与系

面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器 意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6，该功率系统级封装（SiP）在一个封装内集成新的BCD栅极驱动器和导通电阻（RDS(on)）仅140mΩ的高性能GaN功率晶体管。 依托意法半导体MasterGaN系列业已建立的高集成度优势，MasterGaN6进一步扩大了产品功能，新增故障指示

英飞凌 HiRel 推出抗辐射单通道 GaN 栅极驱动器 RIC70115，集成 LDO，可从 4.75 V 至 15 V 输入生成 4.8 V 驱动电压，减少外部器件，提升航天电源系统效率、功率密度与可靠性。

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人

2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技

安森美通过碳化硅（SiC）器件的性能突破与拓扑优化，提升了储能逆变器在效率、成本与适应性方面的表现，并为AI数据中心等高能耗场景提供了高效解决方案。

2026年，"十五五"规划（2026-2030年）成为各省工业政策的主战场。宽禁带半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）等从"十三五"的探索期进入"十五五"的密集落地期。与五年前不同，这一轮政策不再停留于方向引导，而是伴随着真金白银的补贴、清晰的数字目标、以及明确的时间表。 一场围绕宽禁带半导体的省级竞赛，已经实质性启动。 "十五五"为什么是关键窗口 "十五五"对于宽禁带

2025年12月10日至11日，由中国家用电器研究院主办的2025**中国家电科技年会（ASTC 2025）**在湖北武汉成功召开。本届年会以“AI+”为主题，积极响应国家“人工智能+”行动计划，旨在推动家电行业从研发到制造、从核心部件到应用场景的全方位智能化转型，助力发展新质生产力。年会上，芯片作为驱动智能家电升级的核心力量成为中心议题。它不仅是实现家电智能化与绿色化的“神经中枢”，更是保障整个

你的SGT MOS参数很漂亮，但客户为什么还是炸机？ 这是功率半导体行业最尴尬的真相：实验室里测得的导通电阻、开关损耗、耐压等级，在真实系统中往往判若两"芯"。充电桩在高温高湿下莫名宕机，工业电源在负载突变时频繁失效，新能源汽车电控在急加速时热失控告警——芯片手册上的数字，撑不住系统工况的残酷。 问题不在晶圆厂，而在协同设计。热稳定性如何匹配真实散热条件？SOA边界如何覆盖动态负载？封装寄生参数如

在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓（GaN）半导体的普及应用。 剖析AI数据中心的电力挑战 相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显

氮化镓晶体管内部构造简介 GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）；器件的最底层是衬底层(一般为Si材料，也有SiC或者GaN材料)，在其上外延生长出N型GaN缓冲层，外延生长的P型AlGaN势垒层，形成A

恩智浦芯品大盘点 新年伊始，马力全开！2026年开年，恩智浦推“芯”势头强劲，既有新锐产品的横空出世，也有成熟平台的稳步扩展，覆盖从机器人到软件定义汽车等前沿领域，助力开发者解锁智能边缘的无限可能！ 这些恩智浦新品中，有哪些不容错过的“芯”看点，让我们一起来盘点—— 芯片方案 1 i.MX 93W应用处理器 恩智浦首款将AI NPU与安全三频无线连接集成于一体的应用处理器，可用单一封装取代多达6

纵观移动出行与交通运输行业，一个主题毋庸置疑：变革的步伐从未如此迅疾。汽车、机器人、移动平台及智能边缘系统正全面迈向软件定义。随着功能向软件转移，真正的挑战已不再仅仅是性能，还在于无缝集成。 这一转变解锁了新的可能性，但也给始终面临快速交付压力的开发人员增加了复杂性。恩智浦坚信复杂性不应拖慢创新步伐，而FRDM Automotive平台使开发人员能够更有效地应对这种复杂性。 化复杂为动力 无论

水对人类、生态系统以及半导体生产都至关重要。每年，恩智浦的制造工厂大约使用120亿升水。2022年，我们启动了一项雄心勃勃的计划，旨在回收更多水资源并减轻对当地供水的压力。去年，我们提前两年实现了原定于2027年达成的目标——回收制造过程中60%的废水。 水在芯片制造中的关键作用 芯片是现代世界的基石。从智能手机、汽车到医疗设备和可再生能源系统，一切的核心都离不开它。然而，芯片制造是一个耗水量巨大

2026年3月12日，中国家电及消费电子博览会（AWE2026）在上海新国际博览中心盛大举办。作为官方展商胸牌赞助商及家电电源&驱动芯片领军者，芯朋微电子（W3馆 3A35展位）携全栈智能家电解决方案重磅登场，揭秘AI家电背后的“动力引擎”。 在AI从云端走向家庭的浪潮中，芯朋微凭借独有的高低压集成技术，通过Power Management、Driver、Power Device及Powe

近日，重庆市人力社保局、市国资委联合发布《关于表彰国资国企工作先进集体和先进个人的决定》（以下简称决定）。 决定称，为表彰先进、树立典型，进一步激发全市国资国企广大干部职工干事创业的热情，凝聚深化改革的强大合力，市人力社保局、市国资委决定，授予91个集体“国资国企工作先进集体”称号，191名个人“国资国企工作先进个人”称号。 华润微电子功率集成事业群（PIBG）旗下华润微电子（重庆）有限公司MOS

安森美（onsemi）**进一步深化与蔚来（NIO）的长期战略合作，助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。**双方的合作基于安森美EliteSiC 技术，以提升蔚来最新电动汽车系列的能效、性能与可扩展性，其中部分车型于2026 年北京国际车展首次亮相。 新闻要点 EliteSiC技术已应用于蔚来900V 高压平台车型，包括旗舰车型 双方在多年合作基础上，进一步深化工程与系统级

在氮化镓（GaN）功率器件的选择上，工程师们常常面临一个核心问题：增强型（E-mode）还是耗尽型（D-mode）？两种技术路径，哪一种才能真正为系统带来最佳性能、可靠性与成本优势？ 作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌深耕GaN技术多年，推出了基于栅极注入晶体管（GIT）技术的CoolGaN™增强型产品系列。今天，我们将通过深入的技术对比，为您揭示增强型GaN为何成为现代功率电子设计的更优选择