区域控制器手册 | 电源、栅极驱动器、控制和保护方案全解
区域控制器手册详细介绍了一款面向低压配电场景（单区典型功率 10W–3kW）、适配 12V 与 48V 车载电网的汽车区域控制器系统。 内容围绕低压电池或高压转低压 DC/DC→保护→稳压→区域配电→负载的核心配电链路展开，既涵盖降压型 DC/DC、LDO、跟踪型 LDO 及 48V 电网直供型 LDO 等多种电源调节方案，也包含栅极驱动器、集成式多通道驱动器、基于 SmartFET 的开关电路等
标签专题 · 共 22 篇文章
# 安森美
关于「安森美」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
22
篇文章
67
人关注
1,073
次浏览
如何为图像传感器选择合适的电源方案
图源：Freepik 自动驾驶汽车 自动驾驶汽车是如何识别停车标志的？这主要依赖于图像传感器对现场画面的精准捕捉，以及软件算法对停车标志形状和文字特征的智能识别。这种基础能力也广泛应用于多种场景，从视频会议和移动设备，到用于工厂生产线产品检测的机器视觉系统。 如今，图像传感器已设计用于各种专门应用。尽管这些应用千差万别，但在硬件方面，图像传感器始终面临着一个共同挑战：它们对供电条件的要求极为苛刻
3kW PSU设计总卡壳？安富利模拟电源供应器方案解决痛点！
伴随AI服务器算力持续跃升、超大规模数据中心加速落地、新能源产业技术深度迭代，全球市场对高效率、高功率密度电源产品的需求，正迎来前所未有的爆发式增长。国际能源署（IEA）报告预测，到2030年，全球数据中心电力需求将实现翻倍以上增长，总量将达约945太瓦时（TWh），规模已略超日本当前全年用电总量。电源系统作为电子设备的核心动力单元，其功率上限与集成密度的综合性能，已成为决定终端产品核心竞争力的关
全球功率半导体涨价潮仍将持续
全球功率半导体市场正经历新一轮供需震荡。 今年年初以来，英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等龙头企业密集宣布涨价。市场分析认为，由于各地成熟制程产能纷纷满载，产能紧张状况在下半年恐只增不减。 5月7日，研究机构TrendForce集邦咨询发布的报告显示，由于台积电、三星持续削减八英寸成熟制程产能，全球八英寸产能至2027年上半年将维持负增长；而在需求端，AI服务器对电源管理、功率芯片需求正持续走
安森美SiC Combo JFET赋能SSCB固态断路器革新
作为全球领先的技术分销商和解决方案提供商，安富利始终紧跟前沿技术趋势，深度聚焦客户实际应用痛点，本文将结合安富利的合作伙伴安森美在宽禁带半导体领域的创新技术与解决方案，分析固态断路器（SSCB）设计的关键技术路径，助力行业应对电力系统升级背后的安全与效能双重考验。 随着新能源、数据中心、工业配电向高压、高密度、高可靠演进，传统机械断路器的速度、寿命与智能化瓶颈日益凸显。固态断路器凭借全电子开关实
立即报名 | 从技术到生态：安森美助力破解助听器设计难题
随着我国老龄化进程加快，银发经济成为新一轮产业发展风口，听力健康与智能助听设备迎来爆发式增长机遇。为助力新一代智能助听产品研发落地，安森美（onsemi）重磅推出线上技术直播，聚焦助听DSP平台类型特点、无线连接方案与低功耗设计方面的整体实现思路，分享行业前沿实践。 研讨会主题 安森美打造高性能、低功耗助听方案以及构建供应链生态圈，赋能行业发展 研讨会时间 2026/05/14 10:00-11
安森美公布2026年第一季度业绩
安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）公布其2026年第一季度业绩，要点如下： 第一季度营收为15.13亿美元，高于公司业绩指引中值 第一季度公认会计原则（以下简称“GAAP”）与非GAAP毛利率均为38.5% 第一季度GAAP营业利润率为(3.5)%，非GAAP营业利润率为19.1% 第一季度GAAP每股摊薄收益为(0.08)美元，非GAAP每股摊薄收益为0.64美元
跟随安森美CEO逛北京车展，看见中国创新的“全球引力”
在2026年北京车展上，超高压架构、舱驾融合及车载 AI Agent的技术浪潮正在重塑行业边界。 安森美 (onsemi) 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury亲临现场，在密集的行程中捕捉中国汽车创新最真实的脉动。从一个个展台的交流中，他看到的不仅是琳琅满目的新车，更是中国汽车产业从“追随者”向“定义者”的华丽转身。 与安森美CEO同行，逛车展👇 中国创新速度领跑全球 凭借惊人的中
一站式机器人方案重构AMR产业，Treo平台以系统级创新赋能智能制造
近日，在OFweek 2026（第十五届）中国机器人产业大会上，安森美（onsemi）模拟与混合信号事业部战略业务拓展高级经理 Henry Yang 围绕智能电源与感知技术如何赋能自主移动机器人（AMR） 展开深度分享，聚焦七大子系统模块化方案、多传感器融合、Treo 65nm BCD 平台等核心技术，详解安森美如何以一站式系统级解决方案，帮助 AMR 厂商缩短研发周期、降低成本、提升可靠性，助力
安森美与蔚来扩大战略合作，加速向下一代900V电动汽车平台演进
安森美（onsemi）**进一步深化与蔚来（NIO）的长期战略合作，助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。**双方的合作基于安森美EliteSiC 技术，以提升蔚来最新电动汽车系列的能效、性能与可扩展性，其中部分车型于2026 年北京国际车展首次亮相。 新闻要点 EliteSiC技术已应用于蔚来900V 高压平台车型，包括旗舰车型 双方在多年合作基础上，进一步深化工程与系统级
创新、韧性与未来出行：Jodi Shelton对话安森美CEO Hassane El-Khoury
在《A Bit Personal》的近期播客中，主持人Jodi Shelton与安森美 (onsemi) 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury展开了一场深度对话。从黎巴嫩动荡生活中磨砺出的坚韧，到对汽车的终生热爱，再到推动产业电气化转型的战略思考，Hassane El-Khoury分享了塑造其世界观的个人历程，以及他眼中正以“月”为单位飞速进化的中国汽车创新图景。 中国速度，正在定
算力为王时代的供电革命——解码高压直流服务器架构中的功率半导体
随着生成式AI与大模型训练推动算力需求呈现指数级增长，AI服务器已成为数据中心能耗的核心来源。据测算，2025年全球数据中心总用电量中人工智能业务占比将从2%飙升至 10%，并且引发全球对数据中心高耗能需求的口诛笔伐。优化AI服务器的功耗表现已经成为全球服务器产业关注的新焦点，在传统的加速卡和处理硬件的功耗日渐增大的前提下，传统交流供电架构的冗余转换损耗、功率密度瓶颈已难以适配GW级智算中心发展需
【技术干货】T2PAK封装为SiC功率芯片带来的优势
T2PAK封装为SiC 功率芯片带来的优势 电动汽车（EV）、可再生能源系统和人工智能数据中心等电气化进程的加速，给电力系统带来了越来越大的压力，要求更高的效率、更小的尺寸和更低的运行温度。这带来了一个始终存在的挑战：功率密度的提高和系统尺寸的缩小往往会造成严重的散热瓶颈。本文将为您分析SiC功率芯片所面临的挑战，以及安森美（onsemi）提供的T2PAK封装将为功率芯片带来哪些优势。 新型封装解
【技术干货】氢电解槽系统的技术发展与相关解决方案
氢气电解槽旨在利用各种能源（电网、太阳能、风能或电池储能系统）通过电解水来制氢。当使用可再生能源供电时，这些系统旨在以环境友好的方式制氢，从而减少对化石燃料的依赖并最大限度地降低碳排放。本文将为您概述氢电解槽的应用和技术趋势，并重点介绍了安森美（onsemi）专为该领域量身定制的全面高效的功率解决方案。 电解制氢的关键技术环节 与电解技术类型 电解制氢可用于多种应用，包括用于交通运输的燃料电池、
高精度+消除运动伪影！安森美Hyperlux™ ID解锁机器视觉应用新可能
深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美 (onsemi) 的Hyperlux™ ID 间接飞行时间 (iToF) 深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。本系列文章将深度拆解安森美Hyperlux ID 技术及应用。 强光环境下的高精度深度感知 环境光过强会导致像素接收的深度信号饱和甚至完全失效，这是 iToF 深度传感技术的一大痛点。当传感器前方的场景处
碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美（onsemi） El
机器视觉大变局，从“扫描”到“洞察”
深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美 (onsemi) 的 Hyperlux™ ID 间接飞行时间 (iToF) 深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。我们将通过一系列文章介绍机器视觉应用痛点以及Hyperlux ID，本文为第一篇，将介绍机器视觉应用发展趋势和深度感知的技术难题。 图1.Hyperlux ID 深度传感器核心应用示意 深度感知：工业
碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S
告别复杂架构，11kW矩阵式OBC如何实现系统级成本与空间等多重突破？
随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。本文为第一篇，将重点聚焦系统级架构创新的趋势。 矩阵式架构，化繁为简 安森美（onsemi）11 kW车载充电机（OBC）演示设计采用矩阵式转换器功率拓扑，专为电动汽车车载充电应用开发，并辅以一项专有的高级控制算法。矩阵转换器
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJF