跟随安森美CEO逛北京车展，看见中国创新的“全球引力”
在2026年北京车展上，超高压架构、舱驾融合及车载 AI Agent的技术浪潮正在重塑行业边界。 安森美 (onsemi) 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury亲临现场，在密集的行程中捕捉中国汽车创新最真实的脉动。从一个个展台的交流中，他看到的不仅是琳琅满目的新车，更是中国汽车产业从“追随者”向“定义者”的华丽转身。 与安森美CEO同行，逛车展👇 中国创新速度领跑全球 凭借惊人的中
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一站式机器人方案重构AMR产业，Treo平台以系统级创新赋能智能制造
近日，在OFweek 2026（第十五届）中国机器人产业大会上，安森美（onsemi）模拟与混合信号事业部战略业务拓展高级经理 Henry Yang 围绕智能电源与感知技术如何赋能自主移动机器人（AMR） 展开深度分享，聚焦七大子系统模块化方案、多传感器融合、Treo 65nm BCD 平台等核心技术，详解安森美如何以一站式系统级解决方案，帮助 AMR 厂商缩短研发周期、降低成本、提升可靠性，助力
安森美与蔚来扩大战略合作，加速向下一代900V电动汽车平台演进
安森美（onsemi）**进一步深化与蔚来（NIO）的长期战略合作，助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。**双方的合作基于安森美EliteSiC 技术，以提升蔚来最新电动汽车系列的能效、性能与可扩展性，其中部分车型于2026 年北京国际车展首次亮相。 新闻要点 EliteSiC技术已应用于蔚来900V 高压平台车型，包括旗舰车型 双方在多年合作基础上，进一步深化工程与系统级
创新、韧性与未来出行：Jodi Shelton对话安森美CEO Hassane El-Khoury
在《A Bit Personal》的近期播客中，主持人Jodi Shelton与安森美 (onsemi) 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury展开了一场深度对话。从黎巴嫩动荡生活中磨砺出的坚韧，到对汽车的终生热爱，再到推动产业电气化转型的战略思考，Hassane El-Khoury分享了塑造其世界观的个人历程，以及他眼中正以“月”为单位飞速进化的中国汽车创新图景。 中国速度，正在定
算力为王时代的供电革命——解码高压直流服务器架构中的功率半导体
随着生成式AI与大模型训练推动算力需求呈现指数级增长，AI服务器已成为数据中心能耗的核心来源。据测算，2025年全球数据中心总用电量中人工智能业务占比将从2%飙升至 10%，并且引发全球对数据中心高耗能需求的口诛笔伐。优化AI服务器的功耗表现已经成为全球服务器产业关注的新焦点，在传统的加速卡和处理硬件的功耗日渐增大的前提下，传统交流供电架构的冗余转换损耗、功率密度瓶颈已难以适配GW级智算中心发展需
【技术干货】T2PAK封装为SiC功率芯片带来的优势
T2PAK封装为SiC 功率芯片带来的优势 电动汽车（EV）、可再生能源系统和人工智能数据中心等电气化进程的加速，给电力系统带来了越来越大的压力，要求更高的效率、更小的尺寸和更低的运行温度。这带来了一个始终存在的挑战：功率密度的提高和系统尺寸的缩小往往会造成严重的散热瓶颈。本文将为您分析SiC功率芯片所面临的挑战，以及安森美（onsemi）提供的T2PAK封装将为功率芯片带来哪些优势。 新型封装解
【技术干货】氢电解槽系统的技术发展与相关解决方案
氢气电解槽旨在利用各种能源（电网、太阳能、风能或电池储能系统）通过电解水来制氢。当使用可再生能源供电时，这些系统旨在以环境友好的方式制氢，从而减少对化石燃料的依赖并最大限度地降低碳排放。本文将为您概述氢电解槽的应用和技术趋势，并重点介绍了安森美（onsemi）专为该领域量身定制的全面高效的功率解决方案。 电解制氢的关键技术环节 与电解技术类型 电解制氢可用于多种应用，包括用于交通运输的燃料电池、
高精度+消除运动伪影！安森美Hyperlux™ ID解锁机器视觉应用新可能
深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美 (onsemi) 的Hyperlux™ ID 间接飞行时间 (iToF) 深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。本系列文章将深度拆解安森美Hyperlux ID 技术及应用。 强光环境下的高精度深度感知 环境光过强会导致像素接收的深度信号饱和甚至完全失效，这是 iToF 深度传感技术的一大痛点。当传感器前方的场景处
碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美（onsemi） El
机器视觉大变局，从“扫描”到“洞察”
深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美 (onsemi) 的 Hyperlux™ ID 间接飞行时间 (iToF) 深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。我们将通过一系列文章介绍机器视觉应用痛点以及Hyperlux ID，本文为第一篇，将介绍机器视觉应用发展趋势和深度感知的技术难题。 图1.Hyperlux ID 深度传感器核心应用示意 深度感知：工业
碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S
告别复杂架构，11kW矩阵式OBC如何实现系统级成本与空间等多重突破？
随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。本文为第一篇，将重点聚焦系统级架构创新的趋势。 矩阵式架构，化繁为简 安森美（onsemi）11 kW车载充电机（OBC）演示设计采用矩阵式转换器功率拓扑，专为电动汽车车载充电应用开发，并辅以一项专有的高级控制算法。矩阵转换器
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJF
从原理到应用，深度解码Hyperlux™ ID iToF 技术
深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美 (onsemi) 的Hyperlux™ ID 间接飞行时间 (iToF) 深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。本系列文章将深度拆解安森美Hyperlux ID 技术及应用。 本文将深入讲解iToF 技术。 激光雷达和直接飞行时间 图 1. 激光雷达传感技术演示画面。在右侧“20 m”标注的左侧位置，可观测到一
SiC技术提升储能系统效率：安森美最新方案详解
安森美通过碳化硅（SiC）器件的性能突破与拓扑优化，提升了储能逆变器在效率、成本与适应性方面的表现，并为AI数据中心等高能耗场景提供了高效解决方案。