钨塞W-plug是干什么用的？
钨塞是什么？ 钨塞（Tungsten Plug，业内常简称为 W-plug）是半导体集成电路制造中，用于实现晶体管器件层与上方金属互连层之间垂直电气连接的圆柱形微观金属导体。 在芯片的物理架构中，它主要位于中道工序（MOL, Middle-of-Line）的接触孔（Contact）层。通俗来说，晶体管的源极、漏极和栅极深埋在底层的硅基底上，而负责传输信号的铜布线（M1, M2...）悬浮在上方介质
半导体
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半导体技术
钨塞（W-plug）是怎么做的？
本文介绍了钨塞（W-plug）的制造流程。 钨塞制造的标准流程是： 刻蚀接触孔/通孔 → 沉积阻挡/粘附层（Ti/TiN）→ 沉积钨成核层 → CVD 主体填钨 → CMP 平坦化 第一步：刻蚀接触孔 / 通孔（Contact / Via Etch） 在介质层（通常是二氧化硅或低介电材料）上，通过光刻定义位置，再用等离子体刻蚀打出又深又细的孔，露出下面要连接的部位——如果是接触孔，露出的是晶体
玻璃基封装载板，到底是不是“玻璃做的 PCB”？
本文介绍了玻璃基封装载板。 最近，半导体圈里“玻璃基封装载板”很火。很多人第一反应是：这不就是把 PCB 的材料从树脂换成玻璃吗？是不是可以理解成“玻璃做的 PCB”？ 这个说法有一点像，但也很容易误导。 更准确地说：玻璃基封装载板不是普通 PCB 的玻璃版，而是先进封装里的“高精度芯片地基”。它和 PCB 都负责连接电信号，但服务对象、加工精度、结构层级和产业门槛完全不同。 一、为什么大家会
芯片设计与制造中提到的Corner以及SS/TT/FF是什么？
本文介绍了芯片设计与制造中提到的Corner以及SS/TT/FF。 在芯片制造领域，Corner（工艺角）这一概念用于定量刻画因制造工艺导致的个体间性能差异。芯片制造时，如掺杂 (doping) 浓度、扩散 (diffusion) 深度、刻蚀 (etch) 程度，退火 (anneal) 这些工艺偏差，会使不同批次芯片或同一批次的不同晶圆，甚至同一晶圆上的不同die，都会在性能上产生variati
界面结合材料
本文介绍了界面结合材料。 概述 界面结合材料是一类可实现芯片与载板、芯片与芯片、芯片与热沉之间连接与黏结的功能性材料。为满足工业芯片封装的高标准、高可靠性要求，界面结合材料需具备多项核心技术特性：具备高机械强度，可抵御封装与服役过程中的各类机械应力；拥有优异的化学稳定性，能够耐受复杂环境侵蚀、避免材料失效；同时可根据应用需求具备导电或导热性能，优化电子器件整体工作性能。 除此之外，界面结合材料的
钴在半导体制造中的应用
文章来源：Tom聊芯片智造 原文作者：Tom 本文介绍了钴在半导体制造中的应用。 钴（Co）在半导体制造里的应用比很多人想象的要广，而且是随着制程推进逐步扩大的。它不只是"下一代互连金属"，在硅化物、接触、互连、衬垫层、甚至磁性存储等多个环节都有关键作用。 局部互连（Local Interconnect / MOL） ——先进节点应用 背景：在器件层和上层铜互连之间，有一层中段制程（MOL, Mi
应力的“记忆术”：SMT如何帮NMOS跑得更快
本文介绍了SMT如何帮NMOS跑得更快。 在芯片制造中，提升NMOS晶体管速度的一个有效方法，是在沟道中引入张应力。应力能改变硅的晶格结构，让电子迁移得更快。但问题在于，传统的应力引入方式——比如在器件上方沉积一层应力氮化硅薄膜——会带来布局依赖效应，不同密度的图形区域应力效果差异很大。 于是工程师发明了应力记忆技术，简称SMT。它的巧妙之处在于，应力源只是“临时工”，用完之后就撤走，但应力效
晶圆变“晶方”？AI封装火了，MEMS也能用吗？
本文介绍了方形晶圆的适用场景和优势短板。 近期半导体行业方形硅片批量交付的消息刷屏，不少人疑惑，几十年通用的圆形晶圆为何突然出现方形款，它会不会全面替代圆片，在MEMS 领域又有落地空间？ 晶圆和“晶方” 传统晶圆天生是圆形，硅棒经旋转提拉长成圆柱，切片自然呈圆形，全球整条光刻、清洗、机械手产线也都是围绕圆片设计，一直是芯片前道制造的主流。但随着AI大尺寸GPU、HBM、Chiplet普及，封装
作为汽车行业首款8发8收成像雷达MMIC，英飞凌RASIC™ CTRX8188F实现量产，加速中央式架构雷达的发展
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司已开始量产RASIC™ CTRX8188F。这款新一代8发8收（8Tx8Rx）雷达收发器使英飞凌在快速扩张的汽车4D与高清成像雷达市场中处于领先地位。该产品已完成量产准备，搭配AURIX™ TC45可支持边缘处理，是市场上首款支持中央式架构雷达的单片微波集成电路（MMIC）。中央式架构雷达系统采用了一种新兴设计方案，即将原始传感器数据直接传输
MLCC深度分析：AI服务器背后的“小电容”，为什么正在被重新定价？
在半导体产业链中，MLCC长期被称为“电子工业大米”。它不像GPU、CPU、HBM那样站在聚光灯下，也不像先进制程、光刻机、先进封装那样自带技术叙事，但几乎所有电子设备都离不开它。 手机主板上有它，汽车电控系统里有它，服务器电源模块里有它，GPU加速卡周边也有它。MLCC看起来只是一个极小的片式电容，但它承担的是去耦、滤波、稳压、储能、抑制噪声和改善电源完整性的基础功能。电子系统越复杂，芯片功耗
平行缝焊抗盐雾性能
本文主要讲述平行缝焊抗盐雾性能。 腐蚀现象 盐雾试验是一种模拟沿海大气环境对电子器件侵蚀效果的加速腐蚀测试手段。金属或防护涂层会在化学作用与电化学作用的共同影响下，出现持续性损伤破坏，常见腐蚀表现包含表面析出腐蚀沉积物、产生色斑、针孔、蚀坑以及涂层起皮剥落等缺陷。 相关试验研究表明，平行缝焊密封成型的器件，在24小时盐雾环境放置后，焊缝周边区域会出现大面积锈蚀问题（见图1）。且随着盐雾环境暴露时长
重新定义大规模数据中心存储
数据中心正处于一个转折点。AI 管道、分析平台和对象存储环境的增长速度已经超出了电力、散热和物理空间预算所能承受的范围。对于许多运营商而言，制约因素已不再是原始算力，而是在艾字节 (EB) 规模下，高效存储、移动及访问海量数据集的能力。 正因如此，美光现已正式出货245TB Micron® 6600 ION NVMe™企业级 SSD，这是目前业界容量最大的企业级数据中心 SSD1，单块硬盘即可提供
如何破解AI数据中心能效难题？
近期，功率半导体器件市场景气度显著回升，呈现“量价齐升”态势，多家主流厂商发布调价通知，MOSFET等核心产品价格普遍上调10%以上。 这一市场动向的背后，是AI算力基础设施的蓬勃建设、数据中心电源架构升级以及工业自动化需求等多股力量的强劲驱动。在这一背景下，数据中心、工业电源系统和云计算平台对低损耗、高功率密度的功率开关器件提出了更高要求，安富利的合作伙伴安森美推出的T10 MOSFET技术，为
光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposure Matrix的缩写，中文叫焦距能量矩阵。简单说，就是在同一片晶圆上，系统性地改变光刻机的焦距和曝光能量，然后显影，看看哪一组参数刻出来
未来光刻替代技术—NIL技术介绍
本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异 传统光刻技术（包括DUV和EUV）的本质是利用光源通过掩模版对光刻胶进行图案化，其分辨率由光源波长决定。工艺流程包括涂布光刻胶、掩模对位、曝
ST新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用
700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品 意法半导体新氮化镓（GaN）功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化镓功率器件属于STPOWER产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑
意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器，赋能工业状态监测
工业级振动传感器，测量带宽和动态范围新标杆 内置智能传感器处理单元（ISPU 2.0），提升信号处理与边缘人工智能性能，同时降低功耗 率先在工业状态监测市场上推出很有竞争力的压电传感器替代方案，用于状态监测，结合了性能、轻量化设计、易于集成、超精度和能效 意法半导体（ST）推出一款智能振动传感器，以满足工业状态监测市场的高准确度、高可靠性和低功耗需求。 IIS3DWB10IS振动
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定运行的关键问题。而英飞凌不仅是最早发现并命名 GSI 的企业，更通过深度研究、结构创新和工艺优化，实现了对 GSI 的极致控制，让 Cool
AuSn焊料环平行缝焊
本文主要讲述AuSn焊料环平行缝焊。 原理及方法 AuSn焊料环平行缝焊的核心工艺原理为：设备左右电极轮在电机驱动下，对器件盖板施加恒定压力，使电极轮与盖板接触位置形成稳定接触电阻。与此同时，主电源释放高频脉冲电流，电流通过接触电阻产生大量焦耳热，使局部温度快速升至AuSn焊料环熔点以上，实现焊料熔融。待电极轮移开后，熔融状态的焊料随温度降低逐步凝固，将盖板、AuSn焊料环与器件管壳紧密密封为一体
ADI是什么？有什么作用？
本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光
