MLCC深度分析：AI服务器背后的“小电容”，为什么正在被重新定价？
在半导体产业链中，MLCC长期被称为“电子工业大米”。它不像GPU、CPU、HBM那样站在聚光灯下，也不像先进制程、光刻机、先进封装那样自带技术叙事，但几乎所有电子设备都离不开它。 手机主板上有它，汽车电控系统里有它，服务器电源模块里有它，GPU加速卡周边也有它。MLCC看起来只是一个极小的片式电容，但它承担的是去耦、滤波、稳压、储能、抑制噪声和改善电源完整性的基础功能。电子系统越复杂，芯片功耗
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平行缝焊抗盐雾性能
本文主要讲述平行缝焊抗盐雾性能。 腐蚀现象 盐雾试验是一种模拟沿海大气环境对电子器件侵蚀效果的加速腐蚀测试手段。金属或防护涂层会在化学作用与电化学作用的共同影响下，出现持续性损伤破坏，常见腐蚀表现包含表面析出腐蚀沉积物、产生色斑、针孔、蚀坑以及涂层起皮剥落等缺陷。 相关试验研究表明，平行缝焊密封成型的器件，在24小时盐雾环境放置后，焊缝周边区域会出现大面积锈蚀问题（见图1）。且随着盐雾环境暴露时长
重新定义大规模数据中心存储
数据中心正处于一个转折点。AI 管道、分析平台和对象存储环境的增长速度已经超出了电力、散热和物理空间预算所能承受的范围。对于许多运营商而言，制约因素已不再是原始算力，而是在艾字节 (EB) 规模下，高效存储、移动及访问海量数据集的能力。 正因如此，美光现已正式出货245TB Micron® 6600 ION NVMe™企业级 SSD，这是目前业界容量最大的企业级数据中心 SSD1，单块硬盘即可提供
如何破解AI数据中心能效难题？
近期，功率半导体器件市场景气度显著回升，呈现“量价齐升”态势，多家主流厂商发布调价通知，MOSFET等核心产品价格普遍上调10%以上。 这一市场动向的背后，是AI算力基础设施的蓬勃建设、数据中心电源架构升级以及工业自动化需求等多股力量的强劲驱动。在这一背景下，数据中心、工业电源系统和云计算平台对低损耗、高功率密度的功率开关器件提出了更高要求，安富利的合作伙伴安森美推出的T10 MOSFET技术，为
光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposure Matrix的缩写，中文叫焦距能量矩阵。简单说，就是在同一片晶圆上，系统性地改变光刻机的焦距和曝光能量，然后显影，看看哪一组参数刻出来
未来光刻替代技术—NIL技术介绍
本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异 传统光刻技术（包括DUV和EUV）的本质是利用光源通过掩模版对光刻胶进行图案化，其分辨率由光源波长决定。工艺流程包括涂布光刻胶、掩模对位、曝
ST新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用
700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品 意法半导体新氮化镓（GaN）功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化镓功率器件属于STPOWER产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑
意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器，赋能工业状态监测
工业级振动传感器，测量带宽和动态范围新标杆 内置智能传感器处理单元（ISPU 2.0），提升信号处理与边缘人工智能性能，同时降低功耗 率先在工业状态监测市场上推出很有竞争力的压电传感器替代方案，用于状态监测，结合了性能、轻量化设计、易于集成、超精度和能效 意法半导体（ST）推出一款智能振动传感器，以满足工业状态监测市场的高准确度、高可靠性和低功耗需求。 IIS3DWB10IS振动
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定运行的关键问题。而英飞凌不仅是最早发现并命名 GSI 的企业，更通过深度研究、结构创新和工艺优化，实现了对 GSI 的极致控制，让 Cool
AuSn焊料环平行缝焊
本文主要讲述AuSn焊料环平行缝焊。 原理及方法 AuSn焊料环平行缝焊的核心工艺原理为：设备左右电极轮在电机驱动下，对器件盖板施加恒定压力，使电极轮与盖板接触位置形成稳定接触电阻。与此同时，主电源释放高频脉冲电流，电流通过接触电阻产生大量焦耳热，使局部温度快速升至AuSn焊料环熔点以上，实现焊料熔融。待电极轮移开后，熔融状态的焊料随温度降低逐步凝固，将盖板、AuSn焊料环与器件管壳紧密密封为一体
ADI是什么？有什么作用？
本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光
如何在线检测H2O2浓度？
本文主要介绍了如何在线检测H2O2浓度。 在半导体晶圆厂的湿法清洗中，实现在线（In-line/On-line）检测 H2O2浓度，为了保证制程的稳定性，机台不能停机抽样测试。 一般有两种方法：近红外光谱法 (NIR)和在线自动滴定。 什么是近红外光谱法？ 这是目前所有先进晶圆厂湿法机台的标配。 近红外光（波长通常在780nm - 2500nm 之间）照射到液体时，液体分子内部的化学键（特别是
芯片设计：DTCO如何让工艺和电路一起进化
本文主要介绍了DTCO如何让工艺和电路一起进化。 在先进制程中，单纯靠工艺微缩已经越来越难。工程师发现，很多问题其实是设计和制造“各干各的”造成的：工艺不懂电路的需求，电路也不了解工艺的局限。于是，一种新方法诞生了——DTCO（设计-工艺协同优化）。图片展示的就是DTCO的典型工具流程。它不是单向的“工艺做好→电路设计”，而是从原子级材料一直跑到芯片级布局布线，中间不断反馈、迭代。最底层（Su
平行缝焊焊接质量影响因素（二）
本文介绍了平行缝焊焊接质量影响因素。 焊接速度与焊接热量 现阶段电子设备逐步向轻量化、微型化、多功能化方向迭代，市场对微小型一体化封装管壳，尤其是表面安装型（SM）封装管壳的需求持续攀升。实际生产加工中发现，微小型管壳经平行缝焊加工后，瓷体易出现裂纹缺陷，直接破坏管壳的气密性，造成产品封装失效。 通过有限元仿真技术，可模拟平行缝焊加工过程中不同工艺参数下的管壳热量分布特征，据此优化工艺方案，能够显
PE和EE为什么经常互相甩锅？
在芯片厂里，PE和EE互相甩锅，几乎是制造现场最有生命力的传统项目。 PE，也就是Process Engineer，工艺工程师。EE，也就是Equipment Engineer，设备工程师。 一个管工艺结果，一个管机台状态；一个盯参数、良率、recipe、工艺窗口；一个盯报警、硬件、PM、UPTIME、部件寿命。 表面上看，两边都是为了产线稳定。但一旦异常出现，双方就很容易站到“对面”。 不是因
28nm工艺里的“两套班子”：Core器件和IO器件为何长得不一样？
本文介绍了Core器件和IO器件的结构区别与原因。 在28nm芯片上，工程师会同时制造两种PMOS晶体管：一种是Core器件，用于核心逻辑电路；另一种是IO器件，用于与外界通信的输入输出接口。它们虽然做在同一颗芯片上，但内部结构却有明显差异。 从图片可以清楚看到两者的不同。Core器件追求极致速度，它的栅极堆叠采用了High-k介质加金属栅极，等效氧化层厚度（EOT）薄到只有约1.1纳米。薄的
WBBGA及其细分类型封装工艺介绍
本文主要介绍了WBBGA及其细分类型封装工艺介绍。 WBBGA封装工艺 引线键合球栅阵列（Wire Bonding Ball Grid Array，WBBGA）封装是一种高密度表面贴装封装技术，核心特征为器件引脚全部集中在封装体底部，圆柱状焊球以阵列形式均匀分布，作为封装的I/O接口。相较于QFN封装，WBBGA封装的I/O数量大幅提升，能够满足大规模集成电路芯片的封装需求，适配高性能芯片的研发与
微电子所在面向视觉AI芯片的单片三维异质集成技术领域取得进展
后摩尔时代，传统晶体管“几何微缩”进程持续趋缓，已成为制约高性能AI芯片实现经济性与规模化发展的核心瓶颈。以“韬（τ）定律”为代表的集成电路发展新范式应运而生，其通过3D堆叠多功能芯片，实现系统级延迟降低与等效集成密度的大幅提升。在边缘端，信息处理同样面临时延约束、功耗瓶颈与数据访存开销高等多重挑战，因此采用三维集成架构将传感单元、缓存单元与计算单元垂直堆叠于核心逻辑处理单元之上，构建“感存算一体
覆盖 40-1200V！一文拆解安森美 GaNEXUS™的关键优势和应用
GaNEXUS™系列是安森美（onsemi）最新推出的氮化镓（GaN）功率产品组合，旨在为现代功率架构提供更高的效率、更高的功率密度以及高速开关性能。在GaNEXUS的应用领域中，氮化镓能够最大化地发挥系统级影响，从电源到负载，支持各类紧凑、高效的功率转换。 凭借久经考验的电源设计、卓越的品质以及全生命周期支持，GaNEXUS助力客户构建可靠且可扩展的解决方案，广泛应用于AI数据中心、机器人与自动
RTP如何快速冷却？
本文主要介绍了RTP如何快速冷却。 RTP的价值不只是快速升温，快速冷却同样关键。整个温度曲线必须尖锐，原因： 如果升温快但降温慢--》晶圆在高温停留时间仍然长--》掺杂原子继续扩散，热预算超标--》失去RTP控制热预算的意义 所以RTP要求升温和降温都快，形成一个尖峰状的温度曲线，冷却速率通常要求达到几十到上百°C/秒。 RTP三种散热方式？ 冷却的本质是把晶圆的热量快速带走。 | 传热方式
