Wolfspeed商用化透明碳化硅技术，面向AR与量子计算
Wolfspeed商用化推出专有透明碳化硅（TSiC™）技术，将碳化硅应用拓展至增强现实、量子计算及先进光学。光学级衬底针对极低光学吸收和晶圆平整度设计，并将继续推进200mm与300mm技术。
半导体
1人已关注全面覆盖MCU、FPGA、DSP、运算放大器、ADC/DAC数据转换器、接口隔离及存储器等核心半导体元器件的内部架构剖析、关键电学参数对比与国产替代清单。 近期收录：《Wolfspeed商用化透明碳化硅技术，面向》、《三星电子AI存储需求推动季度营业利润约800》等共 743 篇专业内容。
半导体技术与资讯列表
三星电子AI存储需求推动季度营业利润约800亿美元
三星电子第三季度营收195.3万亿韩元、营业利润107.4万亿韩元，AI存储需求强劲。半导体业务利润大增，但元器件价格上涨令智能手机等业务承压，股东回报计划未超预期。
谷歌TPU销售提振云收入但挤压现金流
谷歌推进TPU对外销售，带动谷歌云收入在9月季度超过一倍增长，但提前采购硬件和组装库存占用现金。投资者对现金消耗及明年AI基础设施支出增加反应强烈，股价下跌近11%。
AI芯片如何从材料端重塑半导体制造
AI芯片需求推动半导体制造与封装升级。文章指出，先进芯片对设备部件和材料提出更高要求，先进陶瓷等材料工程可在耐热、等离子体、磨损和复杂结构方面提供支撑，封装也从保护转向性能优化，成为系统设计的重要环节。
Ceva 新一代 NeuPro NPU 吞吐量提升 2 倍，进军 AI 基础设施
Ceva发布新一代NeuPro NPU产品组合，每平方毫米AI吞吐量最高提升2倍，能效提升50%。该组合基于共通架构与统一软件栈，覆盖从始终在线传感器到云数据中心的物理AI应用。
思特威发布SC5D8XS：5000万像素手机CMOS，首发Lofic HDR 4.0
思特威推出5000万像素智能手机CMOS图像传感器SC5D8XS，首发Lofic HDR 4.0，支持1X和2X焦段LOFIC。产品采用22nm Stack工艺，1X焦段动态范围最高110dB，2X焦段达100dB，已实现量产。
罗姆推出支持GaN高频开关的BM85060FV TP-PFC控制器IC
罗姆BM85060FV TP-PFC控制器IC可在300～500W AC-DC电源中实现高达99%的转换效率。该产品支持GaN HEMT的MHz频段高频开关，空载电流为150μA，有助于降低待机功耗。
莫仕成都设施展示本地工程与制造创新缩短开发周期
莫仕成都设施拥有约3000名员工，具备注塑、电镀、冲压和组装等能力，支持汽车与数据通信等业务。该设施设计与制造的MX-DaSH模块化连接器已用于中国2026年车型。
贸泽开售恩智浦Ara240独立神经处理单元，算力达40 eTOPS
贸泽电子开售恩智浦Ara240独立神经处理单元，可提供40 eTOPS算力并支持16GB LPDDR4内存。该器件配套Ara SDK和M.2 AI加速器模块，可用于工业自动化、机器人及边缘AI应用。
慕尼黑工业大学与印度理工坎普尔分校：自热和寄生效应挑战多层CFET缩放
德国慕尼黑工业大学与印度理工学院坎普尔分校研究人员发表论文，研究自热效应及中段、后段互连寄生对多层CFET设计的影响，并比较四层与传统两层CFET。研究采用经实验校准的TCAD模型，仿真热分布与温度剖面，提取互连寄生RC网络。
鲁汶大学等：干沉积抗蚀剂在EUV与电子束曝光下色调行为不同
鲁汶大学、群山大学、布鲁塞尔自由大学及比利时微电子研究中心（imec）等机构研究人员发表论文，报道一种全干法沉积的卤化非晶沸石咪唑骨架（a-ZIF）抗蚀剂，在电子束与极紫外光刻中表现出明显的辐照源依赖色调转换，可用于下一代半导体先进图形化工
大型科技公司靠AI获利 其他美企未见财务回报
有报告指出，大型科技公司正从人工智能中获利，而其他美国企业尚未看到财务回报；不断上涨的Token成本可能挤压企业利润率。
应用材料与英特尔合作加速AI驱动计算的芯片制造创新
应用材料公司与英特尔合作，在硅谷EPIC中心和俄勒冈研发园区推进下一代晶体管、互连与先进封装技术，缩短AI芯片和系统上市时间。合作覆盖前后道互连微缩以及Foveros 3D堆叠，以提高互连密度、供电和散热性能，加速从实验室到大规模制造。
芯片制造的气体清洗：不用等离子体，温度一变就把晶圆洗得干干净净
本文将介绍非等离子体干法刻蚀用于清洗。 在芯片制造的微观世界里，晶圆表面的清洗与刻蚀是决定良率的关键。传统的湿法清洗容易导致微观结构倒塌，而常规的等离子体干法刻蚀，虽然精准，但高能离子的物理轰击难免会给晶圆带来损伤。那么，有没有一种方法，既能保持干法的精细，又能像湿法一样温和？最近备受瞩目的“非等离子体干法刻蚀”技术，正是打破这一僵局的破局者。 低温化学氧化物去除（COR） 这套工艺的核心，是一
芯片垂直供电：颠覆性技术背后的隐忧与代价
本文将介绍芯片垂直供电的概念、优势以及存在的问题。 引言：为何垂直供电成为必选项 随着AI训练芯片和HPC处理器功耗突破千瓦级别，传统平面供电的瓶颈愈发突出：IR压降严重、电流密度饱和、供电效率低下。垂直供电（Vertical Power Delivery, VPD）应运而生——通过硅通孔（TSV）或背面供电网络（BSPDN）将电源直接从芯片背面馈入，大幅缩短供电路径、降低阻抗。 Intel的Po
光刻胶形貌异常的成因与控制
本文将介绍光刻胶形貌异常的原因，以及解决手段。 线宽均匀性关注的是图形尺寸的一致性，而光刻胶形貌则关注图形本身的截面形状是否正常。在实际工艺中，光刻胶形貌异常会直接影响后续刻蚀或离子注入的图形转移质量，因此识别和控制这些异常至关重要。 侧墙倾斜角 侧墙倾斜角指的是光刻胶侧壁偏离垂直方向的程度。产生倾斜角的一般原因是进入光刻胶底部的光比顶部的光弱，这是由于光刻胶对光的吸收造成的。解决的方法一般通过减
3D近存 vs 3D 存算，到底什么关系？
3D芯片行业有些概念，越宣传，边界越模糊。 存储叠到计算上面，叫三维集成；数据搬运距离缩短，叫近存优势。讲着讲着，“近存”就变成了“存算”，仿佛只要芯片摞得够紧，存储便自动获得了计算能力。 但工程上没有这种自动升级。 值得警惕的宣传混淆，是把集成方式当成计算方式，把带宽优势讲成存内计算优势。介绍了半天堆叠层数、互连密度和访存性能，却没有回答最基本的问题： 这里的“存算”，究竟对应什么计算机制？ 带
ST电池管理芯片确保便携设备、轻型电动车和UPS的锂电池续航更长
亮点： 全工作温度范围内，采样精度更高，电芯均衡速度更快 意法半导体L9962锂电池管理芯片内置12位模数转换器（ADC），具备优异的采样精度；同时支持高达70mA的电芯均衡电流，可快速校正电芯电压，改善电池健康状态。 L9962专为最多10串电芯的锂离子（Li-ion）与锂聚合物（Li-Po）电池包设计，具备电压监测、均衡和保护功能，可优化电池性能，提升其安全性与工作稳定性。该芯片适用于无绳电动
让控制更精准！双独立DAC MCU (MG32F02D032) 重磅登场
精准的模拟控制，正成为传感器校准、电源调节、工业控制与智能家电设计中的重要需求。针对这类需要多路模拟输出与精细电压调节的应用，笙泉科技推出全新 MG32F02D032 MCU，在精巧的QFN20封装中整合2组独立12-bit DAC，兼顾控制弹性、系统整合度与成本效益。 在微控制器(MCU)的世界里，如果说ADC(模拟数字转换器)是负责感知真实世界的「眼睛」，那么DAC(数字模拟转换器)就是将数
从28nm到A14：芯片工艺的“追更”之路，每一代都在卷什么？
本文将介绍从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径。 在半导体行业，每一代工艺节点的跨越都像是一场精密到原子级别的“极限挑战”。最近的一份技术总结，清晰地勾勒出了从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径——这不仅是数字的缩小，更是整个制造体系的重构。 金属间距 摩尔定律的真实标尺工艺节点的数字常常让人迷惑——所谓的“5nm”、“3nm”早已不是某个具体尺寸。真正的物理标尺，是后段互连中的金
