光模块的命门松了吗？
2026 年 7 月 2 日，北京通美晶体技术股份有限公司终止 IPO 注册流程。自 2022 年 8 月递交注册材料起，公司在证监会注册队列停留近四年，被市场冠以 “注册钉子户” 的标签。 四年，恰好是磷化铟从边缘小众材料升级为光通信核心战略原材料的一个完整产业周期。北京通美的主营业务就是Ⅲ-Ⅴ族衬底，它全程置身于资本市场门外，却踩中了行业需求爆发的上行窗口。剥离IPO的资本视角，这段产业变
半导体
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半导体技术
芯片先进封装的四种：CoWoS、CoPoS、Glass Core与CoWoP
本文将介绍四种芯片先进封装。 在先进封装领域，如何把多颗芯片（比如计算芯片和存储芯片）高效地拼在一起，不同厂商给出了不同的答案。图片展示了四种主流方案，它们在材料、结构和成本上各有取舍。 CoWoS CoWoS是目前最成熟的方案，台积电的拳头技术。它把HBM高带宽内存和逻辑芯片（Logic Die）并排放在一块硅中介层上，硅中介层内部有TSV（硅通孔）实现上下导通，然后再整体贴在有机基板上。硅中介
聚焦软件定义汽车架构变革 长电科技打造系统化车规级半导体封测能力
在全球汽车产业加速迈向智能化与数字化的背景下，软件定义汽车（Software-Defined Vehicle，SDV）正从单一功能升级路径，演进为整车级架构重构的重要方向。与传统汽车软硬件深度绑定的模式相比，SDV通过软硬件解耦，实现功能由软件定义并支持持续OTA升级，推动电子电气（E/E）架构向域集中及中央计算平台转型，使整车在功能迭代效率、系统复杂度和资源利用率等方面实现显著优化。 围绕软件
TL3228如何成为真8K无线游戏外设的“标配之芯”？
TL3228 众所周知，电竞玩家对“延迟”的敏感度，几乎到了偏执的程度：鼠标移动一帧的滞后、键盘敲击一毫秒的拖延，都可能决定一场对局的胜负。 正因如此，电竞外设市场长期存在一种“有线信仰”——有线连接意味着稳定、零延迟、不丢包。无线？更多时候只是妥协的代名词。 但这一认知正在被颠覆。 当前，电竞产业的游戏外设市场正经历着从有线到无线的快速变革。其中，8K回报率无线连接技术成为高端外设领域竞相争夺的
封装载板设计
本文主要介绍了封装载板设计。 概述 芯片封装载板是衔接芯片与外部系统的核心结构，其设计需兼顾电气性能、散热能力与机械可靠性，三者的协同优化效果直接决定整机系统的运行效率与稳定性。结合主流封装工艺与结构差异，封装载板设计可分为引线框架类封装设计与基板类封装设计两大类别，两类设计的技术要点、流程规范与优化方向存在明显区别。下面对其进行简单介绍。 引线框架类封装设计 现阶段引线框架类封装设计，普遍沿用
影响RTP冷却速率的因素
本文主要介绍了影响RTP冷却速率的因素。 一、热源关断因素 1. 灯的关断速度 冷却的起点是热源消失，灯关断越快，冷却启动越早。 2. 灯的余热辐射 灯关断后灯丝本身还有余温，会残留少量辐射，灯丝热容越小，余热影响越小。 二、辐射散热相关因素 3. 腔壁温度 晶圆靠向腔壁辐射散热，温差越大散热越快： 腔壁温度越低，辐射散热越强，水冷腔壁保持低温，持续吸热，腔壁温度高则散热慢 4. 晶圆发射率（
为什么AI芯片封装开始关注玻璃基板？
这几年，AI芯片越来越火，先进封装也越来越热。以前大家聊芯片，最关心的是几纳米制程、晶体管数量、算力有多强。但现在，一个新的问题开始变得重要： 芯片做出来之后，怎么把它们高效地连在一起？ 这就是封装的问题。 在AI芯片时代，封装不再只是“给芯片套个外壳”，而更像是给一座超级城市修地基、道路、桥梁和供电网络。城市越大，车流越密，道路系统就越关键。AI芯片也是一样，算力越强，芯片之间的数据流动越频繁
助力高压系统实现高精度电流检测，纳芯微推出NSM2051集成式霍尔电流传感器
近日，纳芯微宣布推出NSM2051集成式霍尔电流传感器，旨在为2000V高压平台提供兼顾绝缘安全、检测精度与系统可靠性的电流检测方案。 光伏与储能行业正加速向高功率密度、高效率方向发展，系统电压正逐步迈向2000V，对电流传感器的绝缘隔离能力提出了更高要求，而能源转换效率、功率控制精度等指标的不断提升，也推动电流检测向更高精度、更高可靠性发展。 纳芯微NSM2051系列产品采用15mm超宽爬电距离
晶圆变“晶方”？AI封装火了，MEMS也能用吗？
本文将介绍半导体行业方形硅片。 近期半导体行业方形硅片批量交付的消息刷屏，不少人疑惑，几十年通用的圆形晶圆为何突然出现方形款，它会不会全面替代圆片，在MEMS 领域又有落地空间？ 晶圆和“晶方” 传统晶圆天生是圆形，硅棒经旋转提拉长成圆柱，切片自然呈圆形，全球整条光刻、清洗、机械手产线也都是围绕圆片设计，一直是芯片前道制造的主流。但随着AI大尺寸GPU、HBM、Chiplet普及，封装单元、中介
智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，纳芯微推出110V半桥驱动芯片NSD2123
随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈；与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势，已成为新一代电源设计的核心选择，而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。 在此背景下，纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD21
EtherCATx三核算力，满足高端工业控制！纳芯微发布实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列
近日，纳芯微正式发布NSSine™系列新一代实时控制MCU/DSP——NS800RTA7系列。该系列面向工业自动化、机器人、数字能源、通用伺服及运动控制等应用场景，首批推出NS800RTA7P65DE、NS800RTA7P66DE、NS800RTA7P66TE三款型号，覆盖大小核、双大核和三核等不同内核配置，集成EtherCAT 从站控制器（ESC）、第二代eMATH浮点数学加速核、高精度模拟采样
Electrical Die Sorting工艺介绍
EDS工艺 是在晶圆完成电路制造的FAB工序与最终封装工序之间进行的关键测试环节，也被称为晶圆测试或探针测试。其核心任务是通过电气特性检测，逐一判断晶圆上每个芯片是否达到所需的质量水平，筛选出合格与不合格产品，并对可修补的缺陷芯片进行修复，使其转为合格品。 这一工艺直接关系到半导体良率——良率即一片晶圆上实际合格芯片数量占设计最大芯片数的百分比，是衡量生产效率的直接指标。EDS不仅能在早期剔除不
芯片界的“背向革命”：让供电后撤，性能翻番
本文将介绍芯片界的“背向革命”。 在芯片制造的微观世界里，晶体管像是数亿个微型开关，而连接它们的金属线就像城市里的立交桥。过去几十年，供电和信号传输都挤在芯片的“正面”（晶圆表面）。然而，随着晶体管尺寸逼近物理极限，正面的“交通拥堵”日益严重——布线拥挤、电阻变大、热量堆积，直接拖累了芯片性能。 背面供电技术 为了破局，背面供电技术（Backside Power Delivery）成了近两年半导体
封装设计方法学演进
本文将介绍封装设计方法学演进。 芯片-封装-系统的联合设计模式已成为国内芯片设计领域的核心研究与应用重点。该模式通过芯片、封装、系统三大层级的跨维度协同优化，实现了芯片纳米级互连结构、封装毫米级物理架构与终端系统功能需求的深度融合，能够有效解决产品研发与应用中电学、热学、力学等多维度的技术难题，是支撑高端芯片高性能、高集成化发展的核心技术路径。 相较于先进的联合设计模式，传统芯片研发采用独立串行设
适配 MTK 快充！FS169ADL Type-A 快充芯片全新上线
FS169ADL是速芯微电子最新推出的一款智能快充协议识别芯片。凭借多主流协议兼容、高耐压、高集成度的优势，为Type-A口快充设备提供优质解决方案，接下来为大家详细解读这款芯片的核心亮点与应用价值。 核心亮点 ✅1.****广泛的协议兼容性**** FS169ADL支持目前市面上主流的快充协议，包括：BC1.2、 Apple 2.4A、QC2.0、QC3.0、QC3.0+、FCP、SCP、H
新品 | 用于中压驱动与电机控制的IGBT 7 EconoPACK™ 3模块
新品 用于中压驱动与电机控制的 IGBT 7 EconoPACK™ 3模块 EconoPACK™ 3 1700V TRENCHSTOP™ IGBT7模块为中压驱动与电机控制提供业界领先的性能。该模块采用发射极控制EC7二极管，集成整流器与NTC温度传感器，并配备绝缘基板，具备卓越的可靠性与稳定的供应保障。 产品型号： ■F4-75R17N3E7_B58 产品框图 产品特性 VCES\=1700
纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC，打造高清感知时代的一体化电源管理方案！
纳芯微宣布推出面向车载摄像头模组的汽车级电源管理芯片 NSR90332XX-Q1，该产品集成3路BUCK和1路LDO，可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供多路高质量供电，适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜以及 PoC 摄像头模组等应用场景。 随着智能驾驶、智能座舱和舱内安全应用加速发展，车载摄像头已经从“可选配置”逐步演进为汽车感知系统的关键基础设施。外部感知方面
哪些半导体设备用到了超（兆）声波？
本文介绍了半导体设备关于超（兆）声波的使用。 一、先区分超声波与兆声波 两者频率不同，应用场景也不同： | 类型 | 频率范围 | 主要应用方向 | | 超声波（Ultrasonic） | 20 kHz – 1 MHz | 键合、清洗（较强机械作用） | | 兆声波（Megasonic） | 0.8 – 2 MHz（甚至更高） | 精密清洗（温和，无损伤） | 频率越高，空化泡越小，对器件损伤
氧化镓MOSFET：界面为何至关重要
β-Ga₂O₃正从实验室走向功率电子应用，但MOSFET性能受限于栅极界面质量。借鉴GaAs MOSFET的历史经验，通过界面工程与介质筛选优化亚阈值摆幅，有望实现增强型、高可靠性的器件平台。 得益于超宽禁带特性以及原生衬底的可用性，β-Ga₂O₃正从一种令人关注的实验室材料，逐步成为下一代功率电子领域一个值得认真对待的技术选项。对于致力于这一目标的研究人员和技术人员来说，核心问题已不再是氧化镓沟
半导体制造中给OHT系统是什么？
OHT天车系统是300mm晶圆厂物流主干，通过高架轨道搬运FOUP，日运量数十万次。其精度、振动与洁净度直接影响先进制程良率，国内厂商正加速追赶日系巨头，有望成为设备国产化的重要突破口。 在半导体制造领域，OHT（Overhead Hoist Transfer）即天车搬运系统，是一种安装于厂房天花板高架轨道上的自动化物料运输设备。该系统通过皮带驱动的提升部件直接进入加工设备的装载口，实现对前开式统
