怎么解决光刻胶 RLS 三角矛盾问题
本文介绍了怎么解决光刻胶 RLS 三角矛盾问题。 一、解决光刻胶 RLS 三角矛盾问题有什么更优的方案 1. 金属氧化物光刻胶（尤其锡基），这是当前最重要的突破方向 传统的化学放大胶在 EUV 下 RLS 矛盾很尖锐，而金属氧化物光刻胶（Metal Oxide Resist，MOR，代表是含锡的胶）能在三个维度上同时改善，这是它被寄予厚望的原因。 2. 提高光子吸收效率 不管什么胶，提高对 EUV
半导体
1人已关注全面覆盖MCU、FPGA、DSP、运算放大器、ADC/DAC数据转换器、接口隔离及存储器等核心半导体元器件的内部架构剖析、关键电学参数对比与国产替代清单。 近期收录：《怎么解决光刻胶 RLS 三角矛盾问题》、《芯片制造中的ECO设计是什么？》等共 743 篇专业内容。
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芯片制造中的ECO设计是什么？
本文介绍了芯片制造中的ECO设计是什么。 在芯片设计领域，ECO（Engineering Change Order，工程变更指令）是一项关键技术手段，指在芯片设计流程后期或流片完成后，针对已发现的设计缺陷或功能优化需求所进行的局部电路修改方案。它无需重新进行完整的芯片设计和流片，而是通过修改金属层连线、配置可编程逻辑单元或调整存储单元等方式，实现对芯片功能的修正或优化。 ECO的作用与必要性 EC
芯片隔离沟槽的“填平艺术”：STI与CMP如何让晶体管互不打扰
本文介绍了STI与CMP如何让晶体管互不打扰。 在芯片上，数百万个晶体管需要彼此隔离，否则会相互漏电、串扰，导致电路失效。早期工艺用“局部氧化”来做隔离，但随着器件越做越小，这种方法已经不够用了。于是，浅槽隔离成了主流方案。 STI的做法很简单：在硅片上刻出浅浅的沟槽，然后填满二氧化硅，再用化学机械抛光磨平。这些填了氧化物的沟槽就像一道道绝缘墙，把相邻的晶体管隔开。但说起来简单，做起来却不容易。
什么是热臭氧工艺（Hot Ozone Process）？
本文介绍了什么是热臭氧工艺。 什么是热臭氧工艺？ 热臭氧工艺是一种湿法清洗技术，用 45~55°C 的含臭氧清洗液，去除光刻胶和刻蚀后的有机残留。 它的原理很直接：光刻胶和刻蚀残留主要是有机物（碳氢化合物），而臭氧（O₃）是强氧化剂，能把有机物氧化分解成二氧化碳、水等挥发物，从而去除。本质上是一种在液相、低温下进行的化学氧化去胶。 "热"是关键。它在 45~55°C 的适度加热下进行，比室温的普
存储芯片工厂里的“总导演”：PIE到底是做什么的？
本文介绍了PIE到底是做什么的。 很多人第一次听到PIE，会想到英文里的“派”。但在半导体工厂中，PIE通常指 Process Integration Engineer，工艺整合工程师。 这个职业既不直接设计芯片电路，也不专门维修设备，更不是每天穿着无尘服在产线上操作机器。PIE更像一名站在全局看问题的“总导演”：他要把几百甚至上千道制造工序连接起来，确保晶圆最后能变成性能合格、可靠耐用，而且可以
国产处理器，半天跑通人形机器人
7月18日，由芯原微电子和上海开放处理器产业创新中心主办的"RISC-V和物理智能论坛"在上海张江科学会堂举行，主题为"RISC-V赋能空间计算与物理智能"。会上，进迭时空联合创始人兼总裁孙彦邦发表题为《下一个计算时代：RISC-V×Physical AI》的演讲，分享了进迭时空对RISC-V与物理AI的认知，以及公司过去五年在该领域的产品化实践。 进迭时空联合创始人兼总裁孙彦邦 RISC-V适合
信号链秘籍丨ADI精密放大器与开关器件新品如何重新定义仪器设计？
精密信号链设计是一个多维度权衡的过程，其性能持续受益于放大器工艺和开关技术的协同进步。放大器选型需在电压特性、电流特性、带宽和成本之间取得平衡，理解不同工艺的本质差异是正确选型的前提。开关选择则需综合考虑漏电流、导通阻抗、带宽和集成度。 ADI近期发布了多款精密放大器和开关新产品，涵盖JFET精密运放、Digi-Trim CMOS放大器、零漂移架构器件、高压功率放大器，以及超低漏电流开关和MEMS
适配 MTK 快充！FS169ADL Type-A 快充芯片全新上线
FS169ADL是速芯微电子最新推出的一款智能快充协议识别芯片。凭借多主流协议兼容、高耐压、高集成度的优势，为Type-A口快充设备提供优质解决方案，接下来为大家详细解读这款芯片的核心亮点与应用价值。 核心亮点 ✅1.****广泛的协议兼容性**** FS169ADL支持目前市面上主流的快充协议，包括：BC1.2、 Apple 2.4A、QC2.0、QC3.0、QC3.0+、FCP、SCP、HS
后段互连的微缩之路：越来越细的铜线与越来越低的电容
本文介绍了通过引入低k介质、新型金属材料和采用双大马士革工艺降低电阻电容。 在芯片制造的前端，晶体管越做越小、越做越快；但在后段，负责连接这些晶体管的铜导线，却面临着一个尴尬的局面——线宽越缩越细，电阻反而越来越大。这就是后段互连微缩的核心矛盾。 展示的是2024年到2032年后段互连的微缩路线图。横轴是触点间距，纵轴是金属间距，两个数字都在持续缩小。2024年时金属间距还有20-22纳米，预
为什么玻璃基板（TGV）突然被重视？
一、为什么玻璃基板突然被重视？ 过去很多高端封装依赖有机基板、硅中介层、ABF载板等材料体系。 但随着AI芯片越来越大、I/O数量越来越多、功耗越来越高、封装尺寸越来越大，传统基板材料逐渐遇到瓶颈。 尤其是AI训练芯片和高性能计算芯片，不再是一颗小芯片单独工作，而是多个逻辑芯片、HBM、高速互连结构一起封装在一个系统里。 这时候，封装基板要承担更多任务： 它要支撑更大的封装面积； 要承载更高密
氮化镓增强型GaN晶体管结构简介
氮化镓晶体管内部构造简介 GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）；器件的最底层是衬底层(一般为Si材料，也有SiC或者GaN材料)，在其上外延生长出N型GaN缓冲层，外延生长的P型AlGaN势垒层，形成A
封装工艺及检验
本文介绍了高可靠封装和检验。 高可靠封装 高可靠集成电路封装主要包括划片、粘片、键合和密封四个工序，如图所示。 划片是封装的第一步。它把整张晶圆分成多个独立芯片。常用方法有机械切割和激光划片。 粘片是固定芯片的过程。通过粘接、焊接或倒装焊等方式，把芯片安装到管壳或基板指定位置。 键合主要完成芯片与外部电路之间的连接。常用金丝、铝丝等材料，通过引线键合实现电连接。 密封是封装的最后一步。通过烧结
无图形晶圆缺陷Darkfield检测技术介绍
本文介绍了裸晶圆缺陷检测中暗场检测技术。 在半导体制造过程中，无图形晶圆通常指裸硅片或假片，主要用于设备测试以及机台内部环境洁净度的监控。当此类晶圆表面存在过多颗粒、残留物或划痕等缺陷时，需要及时排查来源，以保障工艺的稳定性。为了有效探测这些微小异常，暗场检测技术被广泛应用于无图形晶圆的缺陷检测。 暗场检测的基本原理 无图形晶圆表面较为平整均匀，其正常区域的镜面反射光方向集中。当入射光照射到理想
氧化镓是什么？
本文介绍了氧化镓是什么。 氧化镓是镓（Ga）和氧（O）组成的化合物，化学式 Ga₂O₃。它本质上是一种氧化物半导体，但因为带隙特别宽（4.8~4.9 eV），被归类为超宽禁带半导体（UWBG，Ultra-Wide Bandgap Semiconductor），是近几年被称为"第四代半导体"的代表材料之一。 它主要瞄准两个方向：功率电子器件（和 SiC、GaN 抢市场）和紫外探测。 氧化镓在半导体
混合集成电路中的厚膜与薄膜工艺
本文介绍了混合集成电路中的厚膜与薄膜工艺。 混合集成电路 混合技术是把两种或多种集成电路芯片放在一起，有时还会加入电阻、电容等分立元件，最后封装在同一个管壳中，这样做成的电路叫混合集成电路。 和单片集成电路相比，混合集成电路通常体积更大，成本也更高，不过，它可以同时使用不同工艺的优点，电路性能往往更好，在高精度A/D、D/A转换器、精密有源滤波器等模拟电路中，这种优势很重要。 标准MOS和双极工艺
芯片中的EPI Layer是什么？有什么作用？
外延层的基本概念 外延（Epitaxy）是指在经过切、磨、抛等加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程。这层新生单晶层按衬底晶相延伸生长，故称为外延层（Epitaxial Layer），厚度通常为几微米。外延层与衬底可以是同一材料，也可以是不同材料，分别称为同质外延和异质外延。长了外延层的衬底称为外延片。外延生长的方法包括分子束外延（MBE）、金属有机CVD（MOCVD）和气相外延（VPE）等。
双极集成电路工艺与主要器件制造
双极集成电路工艺与主要器件制造 双极工艺中最基本的有源器件是npn和pnp晶体管，它们都由三层半导体材料组成，中间一层的导电类型与两边不同，这三层材料可以上下排列，也可以横向排列，所以会形成垂直晶体管和横向晶体管。 双极工艺不只能制造晶体管，还能制造电阻器、电容器、二极管、齐纳二极管，有些工艺也能制造结型场效应晶体管。 设计双极集成电路时，不能像使用分立器件那样自由选择参数，器件的尺寸、掺杂浓度
堆叠芯片的“垂直通道”：TSV如何把DRAM叠成高楼
在高性能计算领域，AI芯片需要海量数据带宽，而HBM（高带宽内存）正是为此而生。HBM的核心技术之一，就是TSV（硅通孔）——一种垂直贯穿芯片的导电通道，让数据不再绕行，而是直接穿墙而过。 图片展示的是TSV在3D堆叠中的典型应用。多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，芯片之间通过微凸点（micro bump）和TSV实现电气连接，最下方通过封装基板与逻辑芯片通信。TSV的尺寸通常在直径5微米、深度
Electronic Specialty Gases是什么？在芯片制造中有什么作用
电子特种气体是纯度达到99.999%（5N）以上的特种气体，是半导体、显示面板、光伏等高科技产业制造过程中的关键材料。在集成电路从裸硅片到成品芯片的晶圆制造全流程中，超过一半的工序要用到电子特种气体。芯片制造需经历上千道工序，约70%的环节依赖电子特气。这些气体贯穿薄膜沉积、图形化刻蚀、离子注入掺杂、晶圆清洗等核心工艺，直接影响芯片的性能、良率和可靠性。电子特气堪称半导体工业的“隐形血液”。 电子
AI芯片的封装基板越做越大趋势
本文介绍了AI芯片的封装基板越做越大趋势。 从图片可以清楚看到，先进封装的基板尺寸正在快速膨胀。这背后是AI芯片对算力和带宽的无尽渴求。 图(a)是比较“传统”的配置：一颗逻辑芯片加上四颗HBM（高带宽内存），通过中介层连接，再整体贴在积层基板上。这是两年前高端GPU的典型方案，基板尺寸还算适中。 图(b)开始明显变大：逻辑芯片不变，但HBM增加到六颗。更多内存意味着更大的数据带宽，但也意味着
