硅片热氧化工艺的分类和原理
本文介绍了硅片的热氧工艺与退火。 为什么要给硅片“氧化”？ 纯硅本身并不绝缘。要让电流在该走的时候走、不该走的时候停，必须在特定区域形成绝缘层。二氧化硅恰好是完美的天然选择：它与硅的晶格匹配良好、击穿强度高、化学性质稳定。氧化层在芯片中扮演三种角色： 栅介质：MOS晶体管中控制沟道开闭的核心绝缘层，厚度可薄至1-2纳米（仅几层原子）。 隔离层：像“围墙”一样隔开不同器件，防止电流串扰，典型
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本文介绍了硅片的热氧工艺与退火。 为什么要给硅片“氧化”？ 纯硅本身并不绝缘。要让电流在该走的时候走、不该走的时候停，必须在特定区域形成绝缘层。二氧化硅恰好是完美的天然选择：它与硅的晶格匹配良好、击穿强度高、化学性质稳定。氧化层在芯片中扮演三种角色： 栅介质：MOS晶体管中控制沟道开闭的核心绝缘层，厚度可薄至1-2纳米（仅几层原子）。 隔离层：像“围墙”一样隔开不同器件，防止电流串扰，典型