为什么越先进的制程漏电越严重？
本文介绍了越先进的制程漏电越严重的原因。 "先进制程"的本质就是把晶体管做得越来越小。缩小的时候，晶体管的各个尺寸都在变： 沟道长度变短（源极到漏极的距离缩短）； 栅氧化层变薄（栅极和沟道之间的绝缘层变薄）； 工作电压降低（为了省功耗、防击穿）； 阈值电压降低（跟着工作电压降）； 掺杂浓度提高； 晶体管数量暴增（同样面积塞更多）； 问题就在于——上面这几个变化，每一个都会从不同角度加剧漏电。 原
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# 栅氧化层
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晶体管的动力之源：IdSAT究竟由谁决定
本文介绍了影响晶体管饱和电流的各项因素。 在芯片性能的比拼中，有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流（IdSAT）。它衡量的是晶体管完全导通时，从漏极流向源极的最大电流。IdSAT越大，逻辑门的翻转就越快，芯片的主频就越高。那么，这个决定芯片“马力”的关键参数，究竟被哪些制造工艺所左右？我们从最基本的物理公式出发，一层层拆解。 一、IdSAT的“第一性原理”公式对于先进工艺中的短沟道晶