晶体管的动力之源：IdSAT究竟由谁决定
本文介绍了影响晶体管饱和电流的各项因素。 在芯片性能的比拼中，有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流（IdSAT）。它衡量的是晶体管完全导通时，从漏极流向源极的最大电流。IdSAT越大，逻辑门的翻转就越快，芯片的主频就越高。那么，这个决定芯片“马力”的关键参数，究竟被哪些制造工艺所左右？我们从最基本的物理公式出发，一层层拆解。 一、IdSAT的“第一性原理”公式对于先进工艺中的短沟道晶
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本文介绍了影响晶体管饱和电流的各项因素。 在芯片性能的比拼中，有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流（IdSAT）。它衡量的是晶体管完全导通时，从漏极流向源极的最大电流。IdSAT越大，逻辑门的翻转就越快，芯片的主频就越高。那么，这个决定芯片“马力”的关键参数，究竟被哪些制造工艺所左右？我们从最基本的物理公式出发，一层层拆解。 一、IdSAT的“第一性原理”公式对于先进工艺中的短沟道晶