氧化镓MOSFET：界面为何至关重要
β-Ga₂O₃正从实验室走向功率电子应用，但MOSFET性能受限于栅极界面质量。借鉴GaAs MOSFET的历史经验，通过界面工程与介质筛选优化亚阈值摆幅，有望实现增强型、高可靠性的器件平台。 得益于超宽禁带特性以及原生衬底的可用性，β-Ga₂O₃正从一种令人关注的实验室材料，逐步成为下一代功率电子领域一个值得认真对待的技术选项。对于致力于这一目标的研究人员和技术人员来说，核心问题已不再是氧化镓沟
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β-Ga₂O₃正从实验室走向功率电子应用，但MOSFET性能受限于栅极界面质量。借鉴GaAs MOSFET的历史经验，通过界面工程与介质筛选优化亚阈值摆幅，有望实现增强型、高可靠性的器件平台。 得益于超宽禁带特性以及原生衬底的可用性，β-Ga₂O₃正从一种令人关注的实验室材料，逐步成为下一代功率电子领域一个值得认真对待的技术选项。对于致力于这一目标的研究人员和技术人员来说，核心问题已不再是氧化镓沟