SiC SBD：第三代半导体的破局者
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能，而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中，肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件，相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用，尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同，SBD通过金
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全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。 01 先澄清一个误区：SiC 不是 “不能短路” 先看一组行业常见数据： 常规工业级 IGBT：短路耐受
氢能HVAC：宽禁带半导体赋能下的能源新范式
在全球碳中和目标与能源转型的大背景下，建筑与工业领域的能源自主化已成为重要发展趋势。其中，供暖、通风与空调（HVAC）系统作为“能耗大户”，其能源供给方式的变革尤为关键。用氢能驱动冷暖自由——这不仅是技术的进化，更是一场能源逻辑重构。 The Business Research Company报告显示：HVAC市场规模已从2024年的15.8亿美元跃升至2025年的19.1亿美元，预计到2030年
集成式电子保险丝：为何是AI时代PSU的必然选择
数据中心正迈入一个由空前功率密度定义的新时代。AI负载的爆发式增长正推动供电架构从传统12 V全面向48/54 V演进，机架级功率由此跃升至数千瓦级别。这一变革对保护方案提出了全新要求：不仅需要更快速、更智能，更需具备与生俱来的可扩展性和可预测性。 传统保护方案（如机械保险丝、分立式MOSFET控制器）受限于其诞生时代的技术水平，存在响应延迟、系统复杂、热特性不可预测等问题，已无法适配现代AI服务
面向AI芯片的VPD技术是什么？
本文将介绍供电体系的垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）现状和发展趋势。 AI芯片供电为何面临瓶颈 随着AI处理器功耗迈入千瓦级别，供电体系正在从传统的平面供电向垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）演进。VPD并非简单的电源小型化，而是一场系统级供电架构的重构。 AI处理器的算力扩展带来了更高的功耗。当核心电压维持在0.6V至0.8V左右
揭秘：英飞凌增强型GaN为何是功率设计的更优选择？
在氮化镓（GaN）功率器件的选择上，工程师们常常面临一个核心问题：增强型（E-mode）还是耗尽型（D-mode）？两种技术路径，哪一种才能真正为系统带来最佳性能、可靠性与成本优势？ 作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌深耕GaN技术多年，推出了基于栅极注入晶体管（GIT）技术的CoolGaN™增强型产品系列。今天，我们将通过深入的技术对比，为您揭示增强型GaN为何成为现代功率电子设计的更优选择
AI推动数据中心对功率MOSFET的需求
长期以来，能源消耗一直是数据中心运营商关注的重要问题，随着AI的兴起，这一挑战变得更加严峻。为了支撑AI工作负荷的爆发式增长，数据中心对电力的需求逐年攀升，因此实现尽可能高的能效至关重要。 英飞凌提出了一项战略，旨在提升从电网到核心的整个能源系**统性能**。本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。具体而言，我们将介绍数据中心通过向48V架构转型以提升
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
SiC MOSFET的并联设计要点
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参