氢能HVAC：宽禁带半导体赋能下的能源新范式
在全球碳中和目标与能源转型的大背景下，建筑与工业领域的能源自主化已成为重要发展趋势。其中，供暖、通风与空调（HVAC）系统作为“能耗大户”，其能源供给方式的变革尤为关键。用氢能驱动冷暖自由——这不仅是技术的进化，更是一场能源逻辑重构。 The Business Research Company报告显示：HVAC市场规模已从2024年的15.8亿美元跃升至2025年的19.1亿美元，预计到2030年
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集成式电子保险丝：为何是AI时代PSU的必然选择
数据中心正迈入一个由空前功率密度定义的新时代。AI负载的爆发式增长正推动供电架构从传统12 V全面向48/54 V演进，机架级功率由此跃升至数千瓦级别。这一变革对保护方案提出了全新要求：不仅需要更快速、更智能，更需具备与生俱来的可扩展性和可预测性。 传统保护方案（如机械保险丝、分立式MOSFET控制器）受限于其诞生时代的技术水平，存在响应延迟、系统复杂、热特性不可预测等问题，已无法适配现代AI服务
面向AI芯片的VPD技术是什么？
本文将介绍供电体系的垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）现状和发展趋势。 AI芯片供电为何面临瓶颈 随着AI处理器功耗迈入千瓦级别，供电体系正在从传统的平面供电向垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）演进。VPD并非简单的电源小型化，而是一场系统级供电架构的重构。 AI处理器的算力扩展带来了更高的功耗。当核心电压维持在0.6V至0.8V左右
揭秘：英飞凌增强型GaN为何是功率设计的更优选择？
在氮化镓（GaN）功率器件的选择上，工程师们常常面临一个核心问题：增强型（E-mode）还是耗尽型（D-mode）？两种技术路径，哪一种才能真正为系统带来最佳性能、可靠性与成本优势？ 作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌深耕GaN技术多年，推出了基于栅极注入晶体管（GIT）技术的CoolGaN™增强型产品系列。今天，我们将通过深入的技术对比，为您揭示增强型GaN为何成为现代功率电子设计的更优选择
AI推动数据中心对功率MOSFET的需求
长期以来，能源消耗一直是数据中心运营商关注的重要问题，随着AI的兴起，这一挑战变得更加严峻。为了支撑AI工作负荷的爆发式增长，数据中心对电力的需求逐年攀升，因此实现尽可能高的能效至关重要。 英飞凌提出了一项战略，旨在提升从电网到核心的整个能源系**统性能**。本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。具体而言，我们将介绍数据中心通过向48V架构转型以提升
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
SiC MOSFET的并联设计要点
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参