【技术干货】数据中心电源设计的发展与解决方案
简介 当前的数据中心电源解决方案的发展，正由AI算力的爆发式增长所驱动，AI模型训练与推理对算力的渴求，正将数据中心的电力消耗推向新高，海量且激增的电力需求，是变革的根本动力，其核心趋势是向更高压、更高效、更集约化的架构演进。本文将为您介绍数据中心电源解决方案的发展，以及由Littelfuse推出的相关解决方案。 经历深刻变革的数据中心供电架构 全球数据中心的电力需求正以惊人的增长速度，其中AI是
标签专题 · 共 34 篇文章
# SiC MOSFET
关于「SiC MOSFET」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
34
篇文章
103
人关注
1,637
次浏览
决策提速10倍！Elite Pairing Studio 解锁SiC MOSFET与驱动器的最佳匹配方案
安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。 Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定运行的关键问题。而英飞凌不仅是最早发现并命名 GSI 的企业，更通过深度研究、结构创新和工艺优化，实现了对 GSI 的极致控制，让 Cool
直流快速充电桩如何重塑绿色出行的效率底座？
在新能源汽车加速迈向超充时代，市场对于动辄数百千瓦的直流快速充电桩需求正迎来爆发式增长。构建高密度、高能效的直流快速充电网络，已成为支撑下一代智能交通的战略支点。为了让即充即走的极致出行体验成为现实，下一代大功率充电基础设施正全面重塑其能效与安全边界。 为助力工程师攻克大功率系统集成与全生命周期可靠性的设计难题，安森美**（onsemi）打造《直流快速充电桩图解手册》**，一册尽览以下核心架构与实
全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区
800V HVDC加速落地：MPS布局AI数据中心下一代供电架构
从SiC/GaN到高压PMIC，HVDC正在重构服务器电源产业链 AI算力爆发，数据中心单机柜功率持续走高，传统交流（AC）供电架构短板凸显，800V高压直流（HVDC） 成为行业主流升级方向。依托完整硬件产品矩阵，MPS全面发力AI服务器供电赛道，目前已有超百款产品落地相关场景，覆盖PMIC、电源模块、热插拔、驱动芯片、SiC/GaN功率器件、隔离电源等品类。 MPS AI 服务器硬件产品矩阵
白皮书下载 | 深度解析为何SiC MOSFET必须构建专属可靠性验证方法？
在电力电子领域，SiC MOSFET正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明，基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验。
强强联手｜方正微电子与超聚变达成战略合作，SiC助力AI智算新基建
2026年5月21日，深圳方正微电子有限公司（以下简称“方正微电子”）与超聚变数字技术股份有限公司（以下简称“超聚变”）签订战略合作协议。超聚变算力事业部总裁唐启明、算力领域副总裁李卓群、算力事业部电源领域总经理任海、算力事业部电源开发部部长王彦斌，方正微电子董事长陆波、副总裁彭建华先生出席了签约仪式。作为核心合作伙伴，超聚变将全面搭载方正微电子SiC芯片及功率模块产品，双方围绕AI智算及数据中心
芯闻速递丨东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高
白皮书下载｜英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读
SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷多，早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版Si
【限量席位 · 倒计时】IPAC碳化硅零碳应用技术大会，三重惊喜好礼现场发送！
IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆！ 为感谢每一位支持者的信任，我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼！ IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 第一重好礼 全新升级SiC可靠性白皮书（纸质完整版） 英飞凌最新发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书，系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析
深度解读英飞凌EiceDRIVER™：规格书之外的硬核技术干货
隔离栅极驱动器是连接控制与功率的桥梁，其性能直接影响系统效率、可靠性与安全性。然而，数据手册之外的设计细节，往往才是决定成败的关键。 2026年5月20日15:00，英飞凌专家将深度解读EiceDRIVER™隔离栅极驱动器系列，分享规格书之外的硬核技术干货，助您从容应对实际开发挑战。 EiceDRIVER™核心特性 EiceDRIVER™隔离栅极驱动器专为太阳能逆变器、电动汽车充电桩、工业驱动等高
视频谈芝识丨更低损耗、更高效率：解锁服务器电源高效新高度
近年来数据中心功耗持续上升，迫切需要提升服务器电源效率并降低损耗，为此东芝开发了采用适用于服务器的1kW ITTF AC-DC转换器的高效服务器电源参考设计，该参考设计在230V输入电压时，能效超越80 PLUS铂金级标准。 该参考设计整体包含图腾柱PFC电路、ITTF DC-DC转换器电路以及ORing电路： · 其中图腾柱PFC电路高频开关元件采用SiC MOSFET TW107Z65C，低频
纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
纳芯微今日正式推出新一代固**态继电器NSI7117**系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统（BMS）等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能（EMC），在电磁干扰抑制（EMI）与电磁抗扰度（EMS）两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。 新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下
深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
在电力电子领域，SiC MOSFET 正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明，基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验
晶丰明源携大功率碳化硅电动车充电器方案亮相2026无锡国际电动车展
2026年5月10日，2026无锡国际电动车展览会圆满落下帷幕。作为国内电动车产业的行业标杆展会，本届展会汇聚优势产业资源，云集了整车、电机、电池及核心配件等全品类的头部企业。晶丰明源携全系列电动车充电器芯片及核心解决方案盛装亮相，重点展示了覆盖168W至800W功率段的多套直驱SiC碳化硅充电器方案，以高效率、高功率密度、高可靠性的完整方案，精准匹配电动两轮车、电摩等大功率充电器应用场景。 展
英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读（含白皮书下载）
SiC MOSFET 凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC 功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷密度高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路 / 雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版 SiC
方正微电子在北京汽车展发布：车规主驱SiC MOSFET累计出货量超3000万颗暨G3平台新产品重磅发布
中国.北京，2026年4月26日 – 在2026北京国际汽车展览会期间，深圳方正微电子有限公司联合中国汽车芯片产业创新战略联盟,隆重举办“方正微电子车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗里程碑暨G3平台新产品发布会”。 方正微电子总裁吴伟涛正式宣布：公司车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，在新能源汽车车规主驱SiC MOSFET市场占有率超过10%。这一数字不仅
重磅 | 方正微电子荣获"2026年度影响力汽车芯片"大奖！
2026年4月26日·北京 – 在2026北京国际汽车展览会，方正微电子凭借在第三代半导体领域深厚的技术积淀、卓越的车规级SiC（碳化硅）产品性能以及大规模商业化落地能力，成功斩获“2026年度影响力汽车芯片”大奖。 此次评选活动由中国汽车芯片产业创新战略联盟主办，采取10家整车企业专家评委背靠背独立打分的形式开展评审，全国各地的近200个项目参与申报。方正微电子从众多参评企业中脱颖而出，不仅是对
芯光璀璨・智汇光谷 | 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026，直击现场盛况
芯光璀璨 智汇光谷 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026 直击现场盛况 2026年4月23日，作为国内领先的碳化硅功率半导体IDM企业，深圳方正微电子有限公司携全系车规级&工业级SiC晶圆→功率器件→模组→系统解决方案，重磅亮相武汉九峰山 CSE 2026。在这场以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题的年度半导体盛会上，方正微电子以“SiC功率专家”为核心定位，全方位展现国产S