强强联手｜方正微电子与超聚变达成战略合作，SiC助力AI智算新基建
2026年5月21日，深圳方正微电子有限公司（以下简称“方正微电子”）与超聚变数字技术股份有限公司（以下简称“超聚变”）签订战略合作协议。超聚变算力事业部总裁唐启明、算力领域副总裁李卓群、算力事业部电源领域总经理任海、算力事业部电源开发部部长王彦斌，方正微电子董事长陆波、副总裁彭建华先生出席了签约仪式。作为核心合作伙伴，超聚变将全面搭载方正微电子SiC芯片及功率模块产品，双方围绕AI智算及数据中心
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# SiC MOSFET
关于「SiC MOSFET」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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芯闻速递丨东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高
白皮书下载｜英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读
SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷多，早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版Si
【限量席位 · 倒计时】IPAC碳化硅零碳应用技术大会，三重惊喜好礼现场发送！
IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆！ 为感谢每一位支持者的信任，我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼！ IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 第一重好礼 全新升级SiC可靠性白皮书（纸质完整版） 英飞凌最新发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书，系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析
深度解读英飞凌EiceDRIVER™：规格书之外的硬核技术干货
隔离栅极驱动器是连接控制与功率的桥梁，其性能直接影响系统效率、可靠性与安全性。然而，数据手册之外的设计细节，往往才是决定成败的关键。 2026年5月20日15:00，英飞凌专家将深度解读EiceDRIVER™隔离栅极驱动器系列，分享规格书之外的硬核技术干货，助您从容应对实际开发挑战。 EiceDRIVER™核心特性 EiceDRIVER™隔离栅极驱动器专为太阳能逆变器、电动汽车充电桩、工业驱动等高
视频谈芝识丨更低损耗、更高效率：解锁服务器电源高效新高度
近年来数据中心功耗持续上升，迫切需要提升服务器电源效率并降低损耗，为此东芝开发了采用适用于服务器的1kW ITTF AC-DC转换器的高效服务器电源参考设计，该参考设计在230V输入电压时，能效超越80 PLUS铂金级标准。 该参考设计整体包含图腾柱PFC电路、ITTF DC-DC转换器电路以及ORing电路： · 其中图腾柱PFC电路高频开关元件采用SiC MOSFET TW107Z65C，低频
纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
纳芯微今日正式推出新一代固**态继电器NSI7117**系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统（BMS）等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能（EMC），在电磁干扰抑制（EMI）与电磁抗扰度（EMS）两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。 新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下
深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
在电力电子领域，SiC MOSFET 正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明，基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验
晶丰明源携大功率碳化硅电动车充电器方案亮相2026无锡国际电动车展
2026年5月10日，2026无锡国际电动车展览会圆满落下帷幕。作为国内电动车产业的行业标杆展会，本届展会汇聚优势产业资源，云集了整车、电机、电池及核心配件等全品类的头部企业。晶丰明源携全系列电动车充电器芯片及核心解决方案盛装亮相，重点展示了覆盖168W至800W功率段的多套直驱SiC碳化硅充电器方案，以高效率、高功率密度、高可靠性的完整方案，精准匹配电动两轮车、电摩等大功率充电器应用场景。 展
英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读（含白皮书下载）
SiC MOSFET 凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC 功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷密度高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路 / 雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版 SiC
方正微电子在北京汽车展发布：车规主驱SiC MOSFET累计出货量超3000万颗暨G3平台新产品重磅发布
中国.北京，2026年4月26日 – 在2026北京国际汽车展览会期间，深圳方正微电子有限公司联合中国汽车芯片产业创新战略联盟,隆重举办“方正微电子车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗里程碑暨G3平台新产品发布会”。 方正微电子总裁吴伟涛正式宣布：公司车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，在新能源汽车车规主驱SiC MOSFET市场占有率超过10%。这一数字不仅
重磅 | 方正微电子荣获"2026年度影响力汽车芯片"大奖！
2026年4月26日·北京 – 在2026北京国际汽车展览会，方正微电子凭借在第三代半导体领域深厚的技术积淀、卓越的车规级SiC（碳化硅）产品性能以及大规模商业化落地能力，成功斩获“2026年度影响力汽车芯片”大奖。 此次评选活动由中国汽车芯片产业创新战略联盟主办，采取10家整车企业专家评委背靠背独立打分的形式开展评审，全国各地的近200个项目参与申报。方正微电子从众多参评企业中脱颖而出，不仅是对
芯光璀璨・智汇光谷 | 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026，直击现场盛况
芯光璀璨 智汇光谷 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026 直击现场盛况 2026年4月23日，作为国内领先的碳化硅功率半导体IDM企业，深圳方正微电子有限公司携全系车规级&工业级SiC晶圆→功率器件→模组→系统解决方案，重磅亮相武汉九峰山 CSE 2026。在这场以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题的年度半导体盛会上，方正微电子以“SiC功率专家”为核心定位，全方位展现国产S
SiC赋能：晶丰明源推出大功率内置碳化硅产品BP3532GC，打造200W反激恒压电源应用
当前第三代半导体产业迎来广阔发展机遇，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）凭借高频、高功率、低损耗等优异特性，已成为车载快充、数据中心及能源领域能效升级的核心关键材料。相较于传统硅基 MOSFET，碳化硅器件更具备高频低损耗、耐高温、高耐压、高功率密度及高可靠性等突出优势，在大功率电源应用中可显著提升转换效率、缩小产品体积、降低系统成本，是新一代高效电源的理想技术方案。 晶丰明源结合碳化硅 SiC
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
可再生能源驱动，功率半导体将迈向何方？
在全球能源转型浪潮的推动下，可再生能源扮演的角色越来越重要，由此也拉动着光伏、储能和电动汽车充电桩等新兴功率电子应用的长足发展。 以全球太阳能逆变器及储能系统市场为例，根据市场研究机构Omdia的预测，该市场规模预计将从2024年的约14亿美元，增长至2029年的约27亿美元，年复合增长率高达10.6%。 在这样的大趋势下，作为可再生能源支柱性要素的功率半导体技术，也迎来了新一轮的发展机遇。当然，
就在今日丨东芝3kW服务器电源的参考设计介绍
本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，同时为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。 研讨会主题 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 研讨会时间 今日 10:00–12:00 您将学到 直击器件选型、模块自研、器件替代等多项痛点解决方案 东芝参考设计库全面解析 贴片式
【技术干货】满足汽车应用需求的多层片式陶瓷电容器与NTC热敏电阻
满足汽车应用需求的 多层片式陶瓷电容器 与NTC热敏电阻 在汽车产业加速迈向电动化、智能化与高可靠度电子架构的趋势下，车用电子系统对无源器件的性能与稳定性提出了更严格的要求。无论是动力系统、车身控制、ADAS，或是车载信息娱乐系统，关键电路都必须在高温、剧烈振动与长时间运作的环境中保持准确与稳定。多层片式陶瓷电容器（MLCC）以其高能量密度、低ESR与出众的高频特性，成为电源去耦与信号稳定不可或缺
SiC MOSFET的并联设计要点
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参
基本半导体携750V消费类碳化硅方案亮相2026亚洲充电展
3月27日，2026（春季）亚洲充电展在深圳前海国际会议中心举行。基本半导体携750V全系列消费类SiC MOSFET产品精彩亮相，全面展现在消费电子功率器件领域的技术实力与生态布局。 750V全系列SiC MOSFET，**赋能快充新生态** 随着消费电子设备对充电效率与功率密度的要求持续提升，碳化硅器件凭借其卓越的材料特性，正加速从工业应用向消费领域渗透。基本半导体消费类碳化硅MOSFET基