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中国.北京，2026年4月26日 – 在2026北京国际汽车展览会期间，深圳方正微电子有限公司联合中国汽车芯片产业创新战略联盟,隆重举办“方正微电子车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗里程碑暨G3平台新产品发布会”。 方正微电子总裁吴伟涛正式宣布：公司车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，在新能源汽车车规主驱SiC MOSFET市场占有率超过10%。这一数字不仅
2026年4月26日·北京 – 在2026北京国际汽车展览会，方正微电子凭借在第三代半导体领域深厚的技术积淀、卓越的车规级SiC（碳化硅）产品性能以及大规模商业化落地能力，成功斩获“2026年度影响力汽车芯片”大奖。 此次评选活动由中国汽车芯片产业创新战略联盟主办，采取10家整车企业专家评委背靠背独立打分的形式开展评审，全国各地的近200个项目参与申报。方正微电子从众多参评企业中脱颖而出，不仅是对
芯光璀璨 智汇光谷 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026 直击现场盛况 2026年4月23日，作为国内领先的碳化硅功率半导体IDM企业，深圳方正微电子有限公司携全系车规级&工业级SiC晶圆→功率器件→模组→系统解决方案，重磅亮相武汉九峰山 CSE 2026。在这场以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题的年度半导体盛会上，方正微电子以“SiC功率专家”为核心定位，全方位展现国产S
当前第三代半导体产业迎来广阔发展机遇，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）凭借高频、高功率、低损耗等优异特性，已成为车载快充、数据中心及能源领域能效升级的核心关键材料。相较于传统硅基 MOSFET，碳化硅器件更具备高频低损耗、耐高温、高耐压、高功率密度及高可靠性等突出优势，在大功率电源应用中可显著提升转换效率、缩小产品体积、降低系统成本，是新一代高效电源的理想技术方案。 晶丰明源结合碳化硅 SiC
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
在全球能源转型浪潮的推动下，可再生能源扮演的角色越来越重要，由此也拉动着光伏、储能和电动汽车充电桩等新兴功率电子应用的长足发展。 以全球太阳能逆变器及储能系统市场为例，根据市场研究机构Omdia的预测，该市场规模预计将从2024年的约14亿美元，增长至2029年的约27亿美元，年复合增长率高达10.6%。 在这样的大趋势下，作为可再生能源支柱性要素的功率半导体技术，也迎来了新一轮的发展机遇。当然，
本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，同时为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。 研讨会主题 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 研讨会时间 今日 10:00–12:00 您将学到 直击器件选型、模块自研、器件替代等多项痛点解决方案 东芝参考设计库全面解析 贴片式
满足汽车应用需求的 多层片式陶瓷电容器 与NTC热敏电阻 在汽车产业加速迈向电动化、智能化与高可靠度电子架构的趋势下，车用电子系统对无源器件的性能与稳定性提出了更严格的要求。无论是动力系统、车身控制、ADAS，或是车载信息娱乐系统，关键电路都必须在高温、剧烈振动与长时间运作的环境中保持准确与稳定。多层片式陶瓷电容器（MLCC）以其高能量密度、低ESR与出众的高频特性，成为电源去耦与信号稳定不可或缺
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参
3月27日，2026（春季）亚洲充电展在深圳前海国际会议中心举行。基本半导体携750V全系列消费类SiC MOSFET产品精彩亮相，全面展现在消费电子功率器件领域的技术实力与生态布局。 750V全系列SiC MOSFET，**赋能快充新生态** 随着消费电子设备对充电效率与功率密度的要求持续提升，碳化硅器件凭借其卓越的材料特性，正加速从工业应用向消费领域渗透。基本半导体消费类碳化硅MOSFET基
还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，全面为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。
近日，2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼举行，闻泰科技凭借研发创新实力斩获“年度车规芯片技术突破奖”，旗下1200V车规级碳化硅（SiC）MOSFET产品的核心竞争力获行业权威认可。 “年度车规芯片技术突破奖”旨在表彰在前沿领域实现重大原始创新、技术达国际先进水平，且对车规芯片产业链自主安全可控发展具有重要推动作用的企业，凸显行业对技术创新与产业价值的认可。 车规优势显著 坚定研发驱动
4月2日，华大半导体旗下上海积塔半导体有限公司成功举办“共创价值、协同增长”2026半导体技术创新研讨会。华大半导体党委书记、董事长孙劼出席会议并讲话，副总经理、积塔半导体总经理杨琨等参加会议。来自汽车电子、具身智能、芯片设计等领域的260余名产业链伙伴齐聚一堂，共探技术前沿，共谋生态协同。 深耕特色工艺 铸就车规标杆 作为华大半导体在特色工艺制造领域的战略支点，积塔半导体始终秉持“积沙成塔
随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。第一篇讲解了👉系统级架构创新的趋势。本文将聚焦安森美（onsemi）11kW 矩阵式 OBC 核心技术详解与器件应用解析。 11kW矩阵式车载充电机－硬件设计师访谈 Daniel Goldmann 安森美电源解决方案事业部首席
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随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。本文为第一篇，将重点聚焦系统级架构创新的趋势。 矩阵式架构，化繁为简 安森美（onsemi）11 kW车载充电机（OBC）演示设计采用矩阵式转换器功率拓扑，专为电动汽车车载充电应用开发，并辅以一项专有的高级控制算法。矩阵转换器
本文深入探讨了功率因数校正（PFC）技术的演进，特别是碳化硅（SiC）MOSFET在PFC中的应用。文章分析了PFC的历史、无源和有源PFC技术，并详细介绍了SiC MOSFET在图腾柱PFC、AI算力电源、电动汽车充电桩和固态变压器中的优势。