华大九天Argus 3D:3D IC全链路物理验证新方案
随着摩尔定律逐步逼近物理极限,半导体行业正转向三维垂直拓展的技术路径,以延续迭代节奏、实现“超越摩尔”目标。Chiplet为核心的先进封装技术,通过将不同工艺、功能的裸片(
关于「SiC MOSFET」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。
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近日,由武汉大学物理科学与技术学院主办、新思科技特邀协办、华中地区高校 EDA 技术研究会与武汉大学物理国家级实验教学示范中心共同支持的“新思科技全流程 IC 设计师资培训
SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能,因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质,而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试,以充分发挥其
倾佳电子314Ah至587Ah大容量电芯演进下的储能PCS技术变革与碳化硅功率模块赋能深度研究报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新