慕尼黑工业大学与印度理工坎普尔分校：自热和寄生效应挑战多层CFET缩放
德国慕尼黑工业大学与印度理工学院坎普尔分校研究人员发表论文，研究自热效应及中段、后段互连寄生对多层CFET设计的影响，并比较四层与传统两层CFET。研究采用经实验校准的TCAD模型，仿真热分布与温度剖面，提取互连寄生RC网络。
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德国慕尼黑工业大学与印度理工学院坎普尔分校研究人员发表论文，研究自热效应及中段、后段互连寄生对多层CFET设计的影响，并比较四层与传统两层CFET。研究采用经实验校准的TCAD模型，仿真热分布与温度剖面，提取互连寄生RC网络。