微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展
随着DRAM制程不断微缩，有源区鳍形结构的刻蚀形貌控制成为提升良率的关键瓶颈。产业界普遍观察到wiggling AA效应，即鳍状结构出现非均匀侧壁与弯曲畸变，严重降低电容效率与器件可靠性。然而，其物理根源长期不明，缺乏系统的表征与机理模型，导致刻蚀工艺难以精准调控。 针对上述挑战，中国科学院微电子研究所EDA中心陈睿研究员与先导中心李俊杰正高级工程师、闻静高级工程师、维也纳工业大学Lado Fil
「FIB-SEM」是电子工程与制造工艺领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 1 篇关于 FIB-SEM 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年04月）。核心收录议题涵盖《微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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