芯片隔离沟槽的“填平艺术”：STI与CMP如何让晶体管互不打扰
本文介绍了STI与CMP如何让晶体管互不打扰。 在芯片上，数百万个晶体管需要彼此隔离，否则会相互漏电、串扰，导致电路失效。早期工艺用“局部氧化”来做隔离，但随着器件越做越小，这种方法已经不够用了。于是，浅槽隔离成了主流方案。 STI的做法很简单：在硅片上刻出浅浅的沟槽，然后填满二氧化硅，再用化学机械抛光磨平。这些填了氧化物的沟槽就像一道道绝缘墙，把相邻的晶体管隔开。但说起来简单，做起来却不容易。
「STI」是电子工程与制造工艺领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 1 篇关于 STI 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年08月）。核心收录议题涵盖《芯片隔离沟槽的“填平艺术”：STI与CMP如何让晶体管互不打扰》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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