Diamond Foundry宣布首个D200mm单晶金刚石

全球向可持续交通的转型正在加速，而电动出行解决方案——例如电动滑板车、电动自行车、电动踏板车和电动三轮车——正处在这次变革的前沿。这些创新车辆不仅减少了污染，还为日益拥挤的城市环境提供了更高效、更便捷的出行方式。根据《Travel and Mobility Tech》（TNMT）的一份报告，电动自行车和电动踏板车的人均碳排放显著低于其他交通方式。 图1：各类交通工具平均碳排放 电动踏板车市场正在

3月11日起，为期三天的韩国最大电池产业展会"InterBattery 2026"在此拉开帷幕。SK On展位的正面，由今年主题"开启下一代能源时代(Unlock the Next Energy)"演化而来的巨型解锁(Unlock)标识赫然在目，成为迎接来客的第一道风景。 这句简短的口号，在展区的精心布局下，得到了淋漓尽致的诠释。一条精心设计的动线，从当前火热的电动汽车(EV)出发，延伸至方兴未艾

续航，是用户选择纯电动车时最核心的关切。从一开始，小米汽车就明确「续航是电车最贵的配置」，将续航与能耗作为关键技术主线。 自第一代SU7 起，我们便围绕「系统能效」构建核心竞争力，对车辆所有用电、用热的模块进行协同优化，精准把控能耗与能量传递效率，坚持以 “长续航、低能耗” 为技术方向。也正因这份坚持，第一代 SU7 实现了全系长续航的优异表现，只为让每一位用户出行更安心、更从容。 如今新一代S

匠心杯 2026年度优秀液冷产业链生态协同贡献奖 2026年4月16日，由热能工匠主办的“中国国际数据中心液冷关键技术年会”在深圳机场凯悦酒店隆重举办。安富利携手Amphenol、BOYD、MPS、TE、Vishay等多家全球领先合作伙伴亮相本次会议，共同展出了多款面向下一代数据中心的先进液冷解决方案。安富利中国（Avnet China）并凭借对液冷生态协同与产业化落地的杰出贡献，荣获“匠心杯·年

01 雷总这次从北京-上海的新一代**SU7**高速续航直播，一共跑了多少公里？实际续航达成率是多少？电耗是多少？ 本次高速续航测试从位于北京市大兴区的小米汽车工厂出发，到达位于上海市浦东新区的5G未来中心，全程共行驶1313km，共消耗CLTC续航1750km，等效续航达成率75%。在全程平均时速99.6km/h的情况下，全程平均能耗仅为14.6kWh/100km。 02 这次高速续航直播驾驶的

压电作动器广泛应用于各类定位系统中。这类作动器依托逆压电效应工作，这是一种物理换能机制：压电材料在接收电荷作用时会产生机械作用力。 但我们无法将运动控制器直接与压电作动器相连，必须搭配压电放大器。压电放大器也常被称作压电驱动器，是整套压电控制系统的核心关键部件。 市面上有各类大功率压电放大器可供选型。本文为三篇系列文章的第一篇，将对比解析AB 类与D 类输出级架构在压电放大器应用中的优缺点。正如后

安森美（onsemi）与吉利汽车集团进一步深化战略合作，加速下一代电动汽车的发展。此次合作将安森美 EliteSiC 碳化硅技术更深度地集成至吉利浩瀚-S超级电混架构。安森美EliteSiC技术支持更高电压的 900V 架构，提升系统能效，延长续航里程、缩短充电时间，为全球用户带来更快速、更可靠、更便捷的驾驶体验。 新闻要点 安森美 EliteSiC 电源技术已集成至吉利浩瀚-S超级电混架构车

🔋一块电池，为什么“温度”决定安全成败？ 新能源汽车、储能和工业应用高速发展，电池安全正成为行业最敏感的话题之一。而几度温差，往往就是风险与可靠之间的分水岭。 📅 4 月 28 日（周二）14:00🎥 Microchip 微信视频号直播 《借助热管理解决方案优化电池安全性》 🔍 直播亮点抢先看 为什么热管理正在成为电池系统设计的关键能力？ 温度感知如何帮助系统提前发现风险、提升可靠性

今天的电子设备集成度越来越高，外形则越来越小，在这样的高密度空间内，热管理就成了一个不容忽视的问题。 这样的热管理挑战对于一些大功率的应用更为突出，如果不能为产生热量的元器件（如功率半导体）有效地散热、降温，那么这些多余的热量不仅会影响元器件本身的可靠性和使用寿命，还可能对其周围的元器件和电路产生不良影响。 为了优化大功率电子设备的热设计，Bourns推出了BTJ系列热跳线芯片，将其一端连接发热

如何在有限的空间内高效散热，保障AI集群稳定、可靠、高效运行，已成为推动产业持续进阶的基石。安富利始终关注前沿技术趋势与客户实际需求，本文将结合全球热管理领导者宝德（BOYD）的技术与方案，浅析AI COMPUTING领域的热管理关键技术路径，助力产业应对算力跃升背后的“冷静”考验。 英伟达GPU算力芯片不断升级叠代，谷歌TPU推理算法突破创新，DeepSeek算力日益优化，OpenClaw AI

你是否遇到过LDO线性稳压电源输出纹波大、芯片发热严重的问题?作为硬件工程师,我深知这些问题的困扰。根据10年PCB设计实战经验,今天分享系统化的解决方案,帮你轻松搞定LDO布局难题。 噪声抑制是关键 LDO噪声主要来自输入输出端的寄生参数和地回路干扰。 第一个策略是输入电容布局:10μF电解电容+0.1μF陶瓷电容组合,必须紧贴LDO输入引脚,减少输入阻抗。 第二个策略是输出电容布局:尽可能靠

在电源设计中，良好的热管理是确保可靠性、高效率和长寿命的关键。随着功率密度的提升，有效的散热对于防止过热和元器件失效至关重要。本文回顾了四种主要散热方法：自然对流、强制空冷、导热和液冷，并介绍了最佳实践、常见设计陷阱和仿真工具。本文还特别提到了ADI控制器在不同应用场景下支持热调控的优势。糟糕的热规划可能导致电源性能下降、寿命缩短或系统故障。通过在设计过程中尽早整合热策略，工程师可以构建更稳健、更

imec研究人员提出3D立体DRAM-on-GPU集成方案，将DRAM芯片垂直置于GPU上方并设冷却腔，替代传统2.5D HBM和直接堆叠HBM-on-GPU。

本文主要介绍了什么是Teflon（特氟龙）。 Teflon是什么？ Teflon是聚四氟乙烯（PTFE，Polytetrafluoroethylene）的商品名，由美国杜邦公司（DuPont）注册，现在已经成为这类材料的通用叫法。 化学结构非常简单： 碳链骨架，所有氢原子被氟原子完全取代，这是它一切特性的根源。 Teflon中文俗名有哪些？ | 叫法 | 使用场景 | | 特氟龙 | 最通用，在

本文介绍了直拉单晶硅的基本制备技术及方法。 单晶硅的制造技术主要存在两种方法，分别为区熔法（FZ 法）和直拉法（CZ法）。 悬浮区熔法（FZ 法）是一种用于生产单晶硅的工艺技术，其核心在于通过熔融区域定向结晶实现晶体生长。在设备构造方面，炉体内上部通过刚性支撑结构固定高纯度多晶硅棒，底部区域配置高频感应线圈作为主要热源。该线圈通过电磁感应原理产生高温，配合特制耐火材料构筑的恒温环境，形成稳定的热力

本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻

SC-2是RCA清洗中的关键步骤，专用于去除晶圆表面的碱金属与重金属离子。它利用HCl与H₂O₂的强氧化与络合作用，消除SC-1清洗后残留的金属氢氧化物沉淀，并生成保护性氧化层。 SC-2是RCA清洗体系中的第二道清洗液，全称是Standard Clean 2，由美国RCA公司的Werner Kern在1970年发明，至今仍是半导体晶圆清洗的行业标准。 标准配方（体积比）： HCl:H2O2:H

本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3

光刻返工是芯片制造中补救涂胶、显影等异常的关键流程，通过去胶、清洗、重新涂胶三步实现。但返工并非无损，每操作一次都会损伤晶圆，先进工艺通常限2次以内，以平衡良率、成本与质量。 在芯片制造的光刻工艺中，谁也无法保证每一次涂胶、曝光、显影都完美无缺。当出现异常时，工程师并不会直接报废整片晶圆——只要条件允许，他们会启动光刻返工流程，把晶圆“洗干净”重新来过。这就像写错字的草稿纸，用橡皮擦掉重写。但这颗

DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元架构迎来创新，同时外围电路面临热稳定性、多样化性能与成本控制的多重挑战。 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器（DRAM）作为其主内存，提供处理单元检索数据和程序代码所需的临时存储空间。高速运行、高集成密度、高性价比以及卓越的可靠性，促成 DRAM 技术在众多电子设备中的广泛应用。 DRA