FinFET的HKMG工艺介绍
本文主要讲述FinFET的HKMG工艺介绍。 虚设栅极的去除与沟槽形成 源漏外延和退火完成后，沉积层间介质层（inter-layer dielectric，ILD）并进行化学机械抛光（chemical mechanical polishing，CMP），直至暴露虚设多晶硅栅极顶部。这一步骤的终点控制至关重要——如果抛光不足，虚设栅极顶部残留介质层，后续去除工艺无法进行；如果过度抛光，则可能损伤虚设
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# 原子层沉积
关于「原子层沉积」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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一文读懂微芯片的制造方法
微芯片作为半导体产业的核心支柱, 本文将详细介绍微芯片的制造方法。 微芯片的制造方法 微芯片制造作为半导体产业的核心支柱，其工艺复杂性与技术精密性持续突破物理极限，正朝着3纳米以下制程、三维集成与绿色制造方向加速演进。 硅作为基础材料，凭借其独特的半导体特性——在栅极电压调控下实现导电与绝缘状态的切换，成为构建数亿晶体管开关阵列的理想载体，这一特性在集成电路中转化为二进制1/0的数字信号处理能力，