DRAM：传统计算架构中的主内存
DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元架构迎来创新，同时外围电路面临热稳定性、多样化性能与成本控制的多重挑战。 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器（DRAM）作为其主内存，提供处理单元检索数据和程序代码所需的临时存储空间。高速运行、高集成密度、高性价比以及卓越的可靠性，促成 DRAM 技术在众多电子设备中的广泛应用。 DRA
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# FinFET
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低功耗CMOS设计：从电池技术迭代到工艺微缩的能效革命
本文将介绍CMOS功耗优化领域。 CMOS设计 低功耗CMOS集成电路设计作为半导体领域的核心研究方向，其发展脉络与行业需求紧密交织，自20世纪70年代CMOS技术初步应用以来，历经半个世纪的演进，已从早期的特定场景应用拓展为全行业普适性设计理念。 20世纪80年代中期，随着VLSI技术对高集成度与低功耗的双重需求凸显，CMOS凭借其静态功耗低、工艺兼容性强的优势，逐步取代nMOS成为主流工艺，这
从平面到立体：晶体管工艺节点的“缩微”之旅
芯片上的“2纳米”真的是指物理尺寸吗？从平面到FinFET，再到如今最前沿的GAA，制程节点已从实测刻度演变为性能勋章。本文带你拆解晶体管如何从二维“躺平”到三维“站立”，揭秘先进制程命名背后那些看不见的物理跨越与等效逻辑。 在芯片技术的宣传中，我们常常听到“5纳米”“3纳米”“2纳米”这样的词汇。很多人以为这指的是晶体管某个部分的实际物理尺寸，其实并不完全如此。从平面晶体管到FinFET，再到G
芯片设计中的Standard Cell是什么？
本文介绍了芯片设计中的标准单元。 在数字芯片设计领域，标准单元（Standard Cell）是构成复杂芯片功能的基础构件。它是指经过预先设计、优化与验证，具备特定逻辑功能且可重复使用的标准化电路模块。从基本逻辑门如与门、或门、非门，到触发器、加法器等运算单元，标准单元覆盖了数字电路的核心需求。其本质在于“标准化与可复用性”：一旦某个单元完成设计验证，便可在整个芯片设计中无限次复用，从而极大降低设计