光刻中的多重曝光与多重图形技术介绍
本文介绍了光刻中的多重曝光与多重图形技术。 技术背景与定义 多重曝光技术是将集成电路设计版图上的图形分配到多个掩模版上，依次进行光刻制造，从而实现特征尺寸更小的图案。其核心思路在于：在不改变现有光刻基础设施的前提下，通过特殊的图形曝光技术来提高光刻的分辨率。具体而言，该技术将设计版图拆分为多个子版图，使每一个子版图的最小尺寸周期均符合单次光刻的极限分辨率要求。这些子版图分别制作成掩模版后进行多次曝
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本文介绍了光刻中的多重曝光与多重图形技术。 技术背景与定义 多重曝光技术是将集成电路设计版图上的图形分配到多个掩模版上，依次进行光刻制造，从而实现特征尺寸更小的图案。其核心思路在于：在不改变现有光刻基础设施的前提下，通过特殊的图形曝光技术来提高光刻的分辨率。具体而言，该技术将设计版图拆分为多个子版图，使每一个子版图的最小尺寸周期均符合单次光刻的极限分辨率要求。这些子版图分别制作成掩模版后进行多次曝