芯片界的“背向革命”:让供电后撤,性能翻番
本文将介绍芯片界的“背向革命”。 在芯片制造的微观世界里,晶体管像是数亿个微型开关,而连接它们的金属线就像城市里的立交桥。过去几十年,供电和信号传输都挤在芯片的“正面”(晶圆表面)。然而,随着晶体管尺寸逼近物理极限,正面的“交通拥堵”日益严重——布线拥挤、电阻变大、热量堆积,直接拖累了芯片性能。 背面供电技术 为了破局,背面供电技术(Backside Power Delivery)成了近两年半导体
关于「晶体管密度」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。
本文将介绍芯片界的“背向革命”。 在芯片制造的微观世界里,晶体管像是数亿个微型开关,而连接它们的金属线就像城市里的立交桥。过去几十年,供电和信号传输都挤在芯片的“正面”(晶圆表面)。然而,随着晶体管尺寸逼近物理极限,正面的“交通拥堵”日益严重——布线拥挤、电阻变大、热量堆积,直接拖累了芯片性能。 背面供电技术 为了破局,背面供电技术(Backside Power Delivery)成了近两年半导体
今日,在电气电子工程师学会(IEEE)举办的国际电路系统研讨会ISCAS 2026上,华为何庭波发表题为“半导体新路径探索与实践”的主旨演讲,发表了指导半导体产业发展的新原则——韬(τ)定律。韬(τ)定律提出以“时间 (τ) 缩微”替代“几何缩微”作为半导体与电子系统演进的新指导原则——通过逻辑折叠等创新技术,持续压缩信号传播时延,不断提升晶体管密度,从而实现半导体与电子系统的持续演进。 近年来,