给晶体管装上“低阻力接口”:镍硅化物与接触孔清洁的工艺奥秘
晶体管与金属互连之间的接触界面深刻影响芯片功耗与性能。镍硅化物与接触孔原位干法清洁两项关键工艺,构筑低阻连接通道,是先进制程不可或缺的微观制造环节。 在芯片制造的前端,晶体管被制造出来;在后端,它们通过金属导线互连。但如何把这两者高效地连接起来,是一个容易被忽视却至关重要的环节。如果接口没做好,接触电阻就会飙升,导致芯片速度变慢、功耗增加。今天我们就来聊聊,工程师如何通过镍硅化物和原位接触孔干法清
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晶体管与金属互连之间的接触界面深刻影响芯片功耗与性能。镍硅化物与接触孔原位干法清洁两项关键工艺,构筑低阻连接通道,是先进制程不可或缺的微观制造环节。 在芯片制造的前端,晶体管被制造出来;在后端,它们通过金属导线互连。但如何把这两者高效地连接起来,是一个容易被忽视却至关重要的环节。如果接口没做好,接触电阻就会飙升,导致芯片速度变慢、功耗增加。今天我们就来聊聊,工程师如何通过镍硅化物和原位接触孔干法清
随着生成式AI等高性能计算的发展,对算力的需求快速攀升,与此同时人们也越来越深刻地意识到“算力的背后是电力”,因此数据中心的建设在“堆加速卡”的同时,功率密度不断跃升的挑战也必须认真面对。 传统的企业级数据中心单机柜功率通常为8-10kW,而超大规模数据中心单机柜功率正快速迈向100kW以上,部分高端设施甚至超过200kW。根据高盛预测,而到2027年,AI服务器机柜所需的功率将是五年前云端机柜
本文将介绍芯片界的“背向革命”。 在芯片制造的微观世界里,晶体管像是数亿个微型开关,而连接它们的金属线就像城市里的立交桥。过去几十年,供电和信号传输都挤在芯片的“正面”(晶圆表面)。然而,随着晶体管尺寸逼近物理极限,正面的“交通拥堵”日益严重——布线拥挤、电阻变大、热量堆积,直接拖累了芯片性能。 背面供电技术 为了破局,背面供电技术(Backside Power Delivery)成了近两年半导体