芯片行业10月27日技术论文汇总：GPU三维DRAM、CFET与EUV
近期新增多篇半导体技术论文，涉及GPU上三维DRAM集成热设计、多层CFET自热与寄生效应、低DSP硅光调制器、电子束与EUV光刻胶、神经网络SPICE仿真、三维存内计算安全层映射及Pt-W合金EUV掩模吸收体。
关于「硅光调制器」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
近期新增多篇半导体技术论文，涉及GPU上三维DRAM集成热设计、多层CFET自热与寄生效应、低DSP硅光调制器、电子束与EUV光刻胶、神经网络SPICE仿真、三维存内计算安全层映射及Pt-W合金EUV掩模吸收体。
面向AI数据中心光互连，东京科学大学等展示内置电光均衡器的慢光硅调制器，320µm器件实现140Gb/s OOK、26fJ/bit；PAM4无DSP达180Gb/s，低复杂度11抽头均衡器下达200Gb/s。