芯片制造的“流水线”:从硅片到金属互连的标准流程
本文将介绍硅片到金属互连的标准流程。 在现代芯片制造中,无论逻辑、存储还是功率器件,其核心工艺流程都遵循一个基本框架。图片展示的就是这样一个标准流程,它覆盖了从晶体管制造到金属互连的全部步骤。 前端工艺 前端制造晶体管第一步是定义有源区。在硅片上刻出浅槽,填充氧化物,把不同晶体管的活动区域隔开,防止互相漏电。接着进行阱和沟道掺杂,通过离子注入在特定区域引入P型或N型杂质,为NMOS和PMOS晶
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本文将介绍硅片到金属互连的标准流程。 在现代芯片制造中,无论逻辑、存储还是功率器件,其核心工艺流程都遵循一个基本框架。图片展示的就是这样一个标准流程,它覆盖了从晶体管制造到金属互连的全部步骤。 前端工艺 前端制造晶体管第一步是定义有源区。在硅片上刻出浅槽,填充氧化物,把不同晶体管的活动区域隔开,防止互相漏电。接着进行阱和沟道掺杂,通过离子注入在特定区域引入P型或N型杂质,为NMOS和PMOS晶
当地时间20日16时53分许,日本三陆近海发生7.5级地震,距离震中700公里的东京有明显震感。震中附近有多个核电站及核燃料处理工厂,日本气象厅当地时间20日发布了海啸警报和海啸注意警报,要求相关地区民众立即避难逃生。发布海啸警报的沿岸地区如下,预计浪高3米:岩手县、青森县沿岸、北海道太平洋沿岸中部。发布海啸注意警报的沿岸地区如下,预计浪高1米:宫城县、北海道太平洋沿岸东部、北海道太平洋沿岸西部、