等离子体刻蚀机制：从物理溅射到原子级方向性控制
本文介绍了等离子体刻蚀的刻蚀原理。 在现代半导体制造中，干法刻蚀之所以能够实现高深宽比结构加工与纳米尺度图形转移，其核心并不只是“利用等离子体进行刻蚀”这么简单，更关键的是对等离子体内部不同刻蚀机制的精确调控。等离子体环境本身极其复杂，其中既存在高能离子轰击，也包含大量具有高化学活性的自由基与中性粒子，因此刻蚀过程往往并非单一作用主导，而是物理效应与化学反应共同耦合的结果。不同工艺体系中，两者所占
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# 等离子体刻蚀
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中微半导体首创刻蚀技术，引全球行业巨头“抄作业”
近日，被誉为“中国刻蚀机之父”的中微半导体董事长尹志尧做客央视财经《对话》栏目，分享了中国半导体设备从打破垄断到引领全球的创新突围之路。 在节目中，尹志尧自豪地透露：“我们首创了甚高频去耦合反应离子刻蚀技术，后来国际三大设备公司都按这个方向做，现在100%的CCP（电容耦合等离子体）刻蚀机都在用这个方法。”这一“中国首创”技术不仅打破了国外在刻蚀机领域的长期垄断，更迫使全球行业巨头纷纷“抄作业”，