等离子体刻蚀机制:从物理溅射到原子级方向性控制
本文介绍了等离子体刻蚀的刻蚀原理。 在现代半导体制造中,干法刻蚀之所以能够实现高深宽比结构加工与纳米尺度图形转移,其核心并不只是“利用等离子体进行刻蚀”这么简单,更关键的是对等离子体内部不同刻蚀机制的精确调控。等离子体环境本身极其复杂,其中既存在高能离子轰击,也包含大量具有高化学活性的自由基与中性粒子,因此刻蚀过程往往并非单一作用主导,而是物理效应与化学反应共同耦合的结果。不同工艺体系中,两者所占
关于「纯化学刻蚀」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。
本文介绍了等离子体刻蚀的刻蚀原理。 在现代半导体制造中,干法刻蚀之所以能够实现高深宽比结构加工与纳米尺度图形转移,其核心并不只是“利用等离子体进行刻蚀”这么简单,更关键的是对等离子体内部不同刻蚀机制的精确调控。等离子体环境本身极其复杂,其中既存在高能离子轰击,也包含大量具有高化学活性的自由基与中性粒子,因此刻蚀过程往往并非单一作用主导,而是物理效应与化学反应共同耦合的结果。不同工艺体系中,两者所占