芯片垂直供电：颠覆性技术背后的隐忧与代价
本文将介绍芯片垂直供电的概念、优势以及存在的问题。 引言：为何垂直供电成为必选项 随着AI训练芯片和HPC处理器功耗突破千瓦级别，传统平面供电的瓶颈愈发突出：IR压降严重、电流密度饱和、供电效率低下。垂直供电（Vertical Power Delivery, VPD）应运而生——通过硅通孔（TSV）或背面供电网络（BSPDN）将电源直接从芯片背面馈入，大幅缩短供电路径、降低阻抗。 Intel的Po
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# 背面供电网络
关于「背面供电网络」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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从28nm到A14：芯片工艺的“追更”之路，每一代都在卷什么？
本文将介绍从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径。 在半导体行业，每一代工艺节点的跨越都像是一场精密到原子级别的“极限挑战”。最近的一份技术总结，清晰地勾勒出了从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径——这不仅是数字的缩小，更是整个制造体系的重构。 金属间距 摩尔定律的真实标尺工艺节点的数字常常让人迷惑——所谓的“5nm”、“3nm”早已不是某个具体尺寸。真正的物理标尺，是后段互连中的金