为什么MEMS工艺里面很少用到金属W？
钨具备高熔点、高模量等优异物性，却并非 MEMS 主流金属材料，受制于刻蚀、沉积带来的工艺集成难题；依托独有优势，它在诸多细分场景拥有不可替代价值。 在微机电系统（MEMS）的制造版图中，金属钨（W）的身影远不如铝、金或铜那般频繁，这种低调并非源于其性能短板，而是工艺兼容性与应用场景共同筛选的结果。从材料特性来看，钨拥有高达3422℃的熔点、4.5×10⁻⁶/℃的热膨胀系数以及超过400GPa的杨
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# 硅通孔
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堆叠芯片的“垂直通道”：TSV如何把DRAM叠成高楼
在高性能计算领域，AI芯片需要海量数据带宽，而HBM（高带宽内存）正是为此而生。HBM的核心技术之一，就是TSV（硅通孔）——一种垂直贯穿芯片的导电通道，让数据不再绕行，而是直接穿墙而过。 图片展示的是TSV在3D堆叠中的典型应用。多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，芯片之间通过微凸点（micro bump）和TSV实现电气连接，最下方通过封装基板与逻辑芯片通信。TSV的尺寸通常在直径5微米、深度