给晶体管装上“低阻力接口”：镍硅化物与接触孔清洁的工艺奥秘
晶体管与金属互连之间的接触界面深刻影响芯片功耗与性能。镍硅化物与接触孔原位干法清洁两项关键工艺，构筑低阻连接通道，是先进制程不可或缺的微观制造环节。 在芯片制造的前端，晶体管被制造出来；在后端，它们通过金属导线互连。但如何把这两者高效地连接起来，是一个容易被忽视却至关重要的环节。如果接口没做好，接触电阻就会飙升，导致芯片速度变慢、功耗增加。今天我们就来聊聊，工程师如何通过镍硅化物和原位接触孔干法清
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# 金属互连
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芯片制造的“流水线”：从硅片到金属互连的标准流程
本文将介绍硅片到金属互连的标准流程。 在现代芯片制造中，无论逻辑、存储还是功率器件，其核心工艺流程都遵循一个基本框架。图片展示的就是这样一个标准流程，它覆盖了从晶体管制造到金属互连的全部步骤。 前端工艺 前端制造晶体管第一步是定义有源区。在硅片上刻出浅槽，填充氧化物，把不同晶体管的活动区域隔开，防止互相漏电。接着进行阱和沟道掺杂，通过离子注入在特定区域引入P型或N型杂质，为NMOS和PMOS晶
钨塞W-plug是干什么用的？
钨塞是什么？ 钨塞（Tungsten Plug，业内常简称为 W-plug）是半导体集成电路制造中，用于实现晶体管器件层与上方金属互连层之间垂直电气连接的圆柱形微观金属导体。 在芯片的物理架构中，它主要位于中道工序（MOL, Middle-of-Line）的接触孔（Contact）层。通俗来说，晶体管的源极、漏极和栅极深埋在底层的硅基底上，而负责传输信号的铜布线（M1, M2...）悬浮在上方介质
湿法刻蚀中的介质层与金属层加工：从SiO₂到金属互连的化学控制
本文主要介绍了湿法刻蚀中的介质层与金属层加工。 湿法刻蚀 在半导体制造工艺中，湿法刻蚀不仅广泛应用于硅材料本身的加工，更重要的价值体现在介质层与金属薄膜的选择性图形化过程中。无论是栅介质、隔离层、钝化层，还是后续互连结构中的金属布线，其表面加工质量都直接决定器件的电学性能与长期可靠性。因此，针对不同材料体系建立具有高选择性、高均匀性以及低损伤特征的湿法刻蚀体系，始终是微电子工艺开发中的重要内容。