HBM3E涨价20%：AI算力需求推动存储芯片市场变化
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）在半导体存储行业的常规逻辑中，新一代产品面世前夕，前代产品降价清库存是常规定律，但如今HBM（高带宽内存）将打破这一行业共识。据韩媒最新报道，三星电子和SK海力士已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。
此次涨价背后，是AI算力需求爆发与供应链瓶颈的共同作用。随着英伟达H200、谷歌TPU、亚马逊Trainium等AI芯片需求激增，HBM3E供需缺口持续扩大。与此同时，存储厂商正将产能转向更先进的HBM4，进一步挤压了HBM3E的生产资源。
行业格局重塑：HBM市场进入新周期
HBM3E的逆势涨价并非孤立事件，而是全球存储行业进入“超级周期”的必然结果。自2025年第三季度起，存储芯片行业开启史无前例的上行周期。TrendForce数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元；NAND品牌商合计营收季增16.5%，逼近171亿美元。 这一轮超级周期的核心驱动力，是供需失衡的结构性矛盾。其中，DRAM的增长主要得益于一般型DRAM合约价格上涨、出货量增加以及HBM出货规模扩张。随着存储芯片从消费电子的“成本部件”升级为AI基础设施的“战略物资”，单台AI服务器的存储配置达1.7TB，而传统服务器仅需0.5TB。这种“吞噬式需求”彻底颠覆了存储市场的传统供需逻辑。三星、美光、SK海力士三大海外巨头纷纷将产能向HBM、DDR5等高端存储产品倾斜，甚至完全停产DDR4、DDR3等前代产品。美光更是宣布退出消费级业务，将全部资源集中于数据中心等高利润领域。 高端产能的争夺已成为行业竞争的核心。目前，三星、SK海力士和美光在DRAM市场的合计份额超94%，在HBM领域更是占据垄断地位。此次HBM3E提价，本质上是头部厂商凭借产能优势掌握定价权的体现，且这一轮涨价潮已显著提振三巨头的业绩。“这不仅是一次价格调整，更是HBM市场进入高速增长期的标志。”一位存储产业分析师表示，“随着AI芯片需求激增，HBM已成为AI服务器的核心组件，其重要性不亚于GPU。” HBM3E涨价的涟漪效应正沿产业链持续扩散。对于下游AI芯片厂商、服务器厂商而言，存储成本飙升将大幅挤压利润空间。目前，联想、戴尔等终端厂商已开始上调产品价格，部分厂商甚至选择降低配置以缓解成本压力，最终可能抑制消费端需求，形成反向调节。 联想集团董事长兼CEO杨元庆在联想集团2025/2026财年第二季度业绩发布会上表示，内存、闪存、固态硬盘等零部件的短缺和价格上涨并非短期现象，未来一年都将维持这一态势，但联想相比竞争对手具备更强的应对能力。 对于国产存储厂商而言，这场行业变局却孕育着重要机遇。海外巨头向高端产能转移，导致中低端存储市场出现供给缺口，为本土企业腾出了市场空间。
供需失衡：HBM3E涨价背后的市场逻辑
从当前最新消息来看，2026年本该是HBM4的“主场”。报道显示，本月10日，SK海力士已与英伟达（NVIDIA）就HBM4芯片的供货量完成协商，并已投入量产。三星方面，其存储业务执行副总裁金在俊（Kim Jae-joon）此前表示，三星的HBM4开发工作正按计划推进，将于2025年下半年实现量产，并预计2026年启动商业供应。此外，公司正与多家客户合作开发基于HBM4及增强型HBM4E的定制版本。 HBM4是JEDEC固态技术协会于2025年4月16日通过JESD270-4规范确立的第四代高带宽内存标准，主要面向人工智能、高性能计算及高端显卡领域。该标准采用2048位接口，传输速率达8Gb/s，总带宽2TB/s，支持4/8/12/16层DRAM堆栈，单堆栈最大容量64GB，通道数量增至32个，并引入0.7V-0.9V VDDQ电压与1.0V-1.05V VDDC电压选项。HBM4将实现架构层面的革新：新标准引入的逻辑层集成设计，允许在内存堆叠中嵌入可编程计算单元，使内存具备基础算力功能。这一变革将推动“内存中心计算”架构落地，在AI推理场景中可减少30%的数据搬运量，显著降低系统能耗。 KB Securities数据显示，以ASIC厂商为主要客户的三星，2026年HBM总出货量有望较2025年暴增3倍，预计将达到111亿Gb。需求端呈现多点开花态势：英伟达H200芯片每颗需搭载6颗HBM3E；谷歌第七代TPU每颗搭载8颗HBM3E；亚马逊Trainium则搭载4颗HBM3E。 具体来看谷歌第七代TPU，该产品配备192GB HBM3E显存，带宽达7.37 TB/s，采用3D堆叠封装技术集成双计算核心与内存模块。出货计划方面，谷歌第七代TPU已于2025年发布并启动商用，其AI推理性能显著提升，单颗算力达4614 TFLOPS（FP8精度）。不出意外，2026年搭载该TPU的算力服务器将大规模出货，进一步带动HBM3E用量增长。 然而，供应端正面临产能调整的阵痛。三星与SK海力士正全力推进HBM4产能建设，预计2026年HBM4将占HBM市场营收的55%，而HBM3E占比将降至45%。KB Securities分析师指出：“从2026年第三季度开始，HBM4将快速承接HBM3E的需求，但在此之前，HBM3E的供应将持续紧张。”在此背景下，两大厂商难以大幅提升HBM3E产能，导致供应无法匹配激增的需求，最终催生了近20%的涨价溢价。行业格局重塑：HBM市场进入新周期
HBM3E的逆势涨价并非孤立事件，而是全球存储行业进入“超级周期”的必然结果。自2025年第三季度起，存储芯片行业开启史无前例的上行周期。TrendForce数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元；NAND品牌商合计营收季增16.5%，逼近171亿美元。 这一轮超级周期的核心驱动力，是供需失衡的结构性矛盾。其中，DRAM的增长主要得益于一般型DRAM合约价格上涨、出货量增加以及HBM出货规模扩张。随着存储芯片从消费电子的“成本部件”升级为AI基础设施的“战略物资”，单台AI服务器的存储配置达1.7TB，而传统服务器仅需0.5TB。这种“吞噬式需求”彻底颠覆了存储市场的传统供需逻辑。三星、美光、SK海力士三大海外巨头纷纷将产能向HBM、DDR5等高端存储产品倾斜，甚至完全停产DDR4、DDR3等前代产品。美光更是宣布退出消费级业务，将全部资源集中于数据中心等高利润领域。 高端产能的争夺已成为行业竞争的核心。目前，三星、SK海力士和美光在DRAM市场的合计份额超94%，在HBM领域更是占据垄断地位。此次HBM3E提价，本质上是头部厂商凭借产能优势掌握定价权的体现，且这一轮涨价潮已显著提振三巨头的业绩。“这不仅是一次价格调整，更是HBM市场进入高速增长期的标志。”一位存储产业分析师表示，“随着AI芯片需求激增，HBM已成为AI服务器的核心组件，其重要性不亚于GPU。” HBM3E涨价的涟漪效应正沿产业链持续扩散。对于下游AI芯片厂商、服务器厂商而言，存储成本飙升将大幅挤压利润空间。目前，联想、戴尔等终端厂商已开始上调产品价格，部分厂商甚至选择降低配置以缓解成本压力，最终可能抑制消费端需求，形成反向调节。 联想集团董事长兼CEO杨元庆在联想集团2025/2026财年第二季度业绩发布会上表示，内存、闪存、固态硬盘等零部件的短缺和价格上涨并非短期现象，未来一年都将维持这一态势，但联想相比竞争对手具备更强的应对能力。 对于国产存储厂商而言，这场行业变局却孕育着重要机遇。海外巨头向高端产能转移，导致中低端存储市场出现供给缺口，为本土企业腾出了市场空间。
结语
HBM3E的逆势涨价，既是AI算力需求爆发与供应链结构性失衡共同作用的必然结果，更是存储行业从消费电子配套向AI战略核心转型的鲜明注脚。当前，全球存储行业的“超级周期”已全面开启，供需逻辑重构与产能结构升级正重塑市场格局：头部厂商凭借技术与产能优势巩固定价权，产业链上下游则在成本压力与需求红利中寻求平衡。对于国产存储企业而言，海外巨头向高端产能倾斜带来的中低端市场缺口，无疑是实现突围的关键窗口期。
