详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低（0−12 V 栅极驱动）等优势，在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）易激发持续振铃，导致电压过冲、电磁干扰（EMI），极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下，初级侧开关电流往往较大（例如 750 V 器件可达
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# 死区时间
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SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
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碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
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