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关于「GaN」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。

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上市辅导收官!国产功率半导体龙头奔赴 IPO

上市辅导收官!国产功率半导体龙头奔赴 IPO

证监会官网显示,江苏长晶科技股份有限公司辅导验收完成。作为连续六年入选中国半导体功率器件十强的 IDM 厂商,长晶科技此次 IPO 进程落地,也让其产业布局、技术实力与全场景产品矩阵全面浮出水面。 长晶科技于2018年11月在南京江北新区成立,并在深圳、上海、北京等地设有分支机构。公司从Fabless(无晶圆厂)模式起步,通过产业并购与自建产线相结合,成功构建了涵盖晶圆制造、芯片设计、封装测试

美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉,并对英诺赛科实施进口及销售禁令

美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉,并对英诺赛科实施进口及销售禁令

美国国际贸易委员会(ITC)全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定,确认英诺赛科(Innoscience)侵犯了英飞凌的一项氮化镓(GaN)技术专利,并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人

算力为王时代的供电革命——解码高压直流服务器架构中的功率半导体

算力为王时代的供电革命——解码高压直流服务器架构中的功率半导体

随着生成式AI与大模型训练推动算力需求呈现指数级增长,AI服务器已成为数据中心能耗的核心来源。据测算,2025年全球数据中心总用电量中人工智能业务占比将从2%飙升至 10%,并且引发全球对数据中心高耗能需求的口诛笔伐。优化AI服务器的功耗表现已经成为全球服务器产业关注的新焦点,在传统的加速卡和处理硬件的功耗日渐增大的前提下,传统交流供电架构的冗余转换损耗、功率密度瓶颈已难以适配GW级智算中心发展需

矽力杰携 SY5055x 和 SY5035x ACDC方案亮相2026亚洲充电展

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3月27日,2026(春季)亚洲充电展(Asia Charging Expo,ACE)将在深圳前海国际会议中心盛大启幕。届时,矽力杰将重磅亮相2026亚洲充电展(ACE)现场展示AC-DC电源解决方案的核心利器——SY5055x PFC+LLC二合一控制器和集成GaN谷底锁定CCM+QR模式的搭配ZVS同步整流反激式控制器SY5035x。 SY5055x将前级PFC与后级LLC控制器高度集成于单

英飞凌亮相SEMICON China & CS Asia 2026:以GaN赋能高密度AI电源平台,共铸万亿半导体新时代

SEMICON China 2026开幕仪式 3月25日,SEMICON China 2026国际半导体展在上海盛大启幕,展览面积逾10万平米,吸引1500家全球展商参与,预计逾18万人次专业观众共襄盛举。 本届展会聚焦三大产业趋势:AI算力持续爆发,2026年全球AI基础设施支出将达4500亿美元;作为AI基础设施核心资源,全球存储产值成为半导体第一增长极;技术驱动产业升级,先进封装战略地位凸显