韩美半导体的Griffin热压(TC)键合机。(来源:韩美半导体)
韩美半导体与韩华Semitech围绕用于制造高带宽存储器(HBM)的热压(TC)键合设备的专利纠纷将暂时搁置,双方将寻求调解。
韩华Semitech一位相关负责人11月3日表示,两家公司已同意进入产业财产权纠纷调解委员会的调解程序,此前上个月知识产权审判与上诉委员会提出了相关建议。
“我们将善意参与调解过程,”该负责人表示。该公司拒绝披露包括调解日程在内的细节。
韩美半导体一位相关负责人也表示,公司按照惯例遵循了法院的建议。
产业财产权纠纷调解委员会是一个通过当事人协议解决专利及其他知识产权纠纷的机构。该委员会隶属于知识产权部,旨在减少诉讼所需的时间和成本。
在调解过程中,专家组将听取双方意见,并寻求促成和解。该程序可处理多类纠纷,包括民事和刑事诉讼以及专利程序。除非出现特殊情况,调解通常在申请后三个月内完成。调解程序不公开。
调解成功后,具有与法院和解相同的法律效力。如果调解失败,双方可恢复诉讼。
韩美半导体与韩华Semitech原定于11月3日在首尔瑞草区首尔中央地方法院出席第四次庭审。在原告韩华Semitech于前一天提出更改庭审日期申请后,庭审被推迟。两家公司计划在调解后恢复庭审。
该专利纠纷始于2024年12月,当时韩美半导体起诉韩华Semitech侵犯其TC键合机专利。韩华Semitech随后提起反诉,称韩美半导体的Griffin和Dragon TC键合机侵犯其专利,并要求采取包括处置相关设备在内的措施。
韩华Semitech称,韩美半导体侵犯了其三项专利,涉及助焊剂涂布检测技术、蓝光检测方法和助焊剂平坦化技术。助焊剂是半导体芯片键合工艺中使用的一种材料。TC键合机是HBM制造中的关键设备,用于将DRAM裸片垂直堆叠并键合。
韩美半导体否认了韩华Semitech的全部指控。该公司表示,双方在助焊剂检测中采用不同的光源波长和缺陷检测方法,平坦化技术也不同。
来源: 海外媒体
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