台积电暂缓引入High-NA EUV,先进制程竞争不只是设备选择
台积电在其2026年北美技术研讨会上公布了截至2029年的通用制造技术路线图,先进制程仍在继续推进。 值得注意的是,台积电并没有急着把High-NA EUV(高数值孔径极紫外光)光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比,英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异,不只是设备选择,而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。 近年来,台积电AI和HPC(高性能计算)已反超手机业务,在其路线
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台积电在其2026年北美技术研讨会上公布了截至2029年的通用制造技术路线图,先进制程仍在继续推进。 值得注意的是,台积电并没有急着把High-NA EUV(高数值孔径极紫外光)光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比,英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异,不只是设备选择,而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。 近年来,台积电AI和HPC(高性能计算)已反超手机业务,在其路线
台积电在昨日举办的2026 北美技术论坛上,公布了其直至 2029 年的通用制程技术路线图。本次发布的核心亮点包括:名为 A12 与 A13 的 1.2nm、1.3nm 级制造工艺、对 N2 家族出人意料的延伸版本 N2U,以及截至 2029 年暂无计划在任何工艺节点使用高数值孔径极紫外光刻(**High-NA EUV**)。而本次技术公告中最值得关注的一点,或许是台积电正式确立了面向新一代工艺节