安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，1200V 最高 900A
安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，提供 1200V 电压和 480A、600A、900A 三档电流，可在 175℃ 结温下持续运行。该系列采用 62mm×122mm 封装，与 EconoDUAL3 平台引脚兼容。
半导体、芯片新品技术专题 · 共 2 篇内容
# IGBT模块
「IGBT模块」是电子工程与半导体、芯片新品领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 2 篇关于 IGBT模块 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年11月）。核心收录议题涵盖《安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，1200V 最高 900A》《新品 | 1200V 62mm IGBT 7半桥模块产品线扩充》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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新品 | 1200V 62mm IGBT 7半桥模块产品线扩充
1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7P ■ FF800R12KE7P_E ■ FF600R12KE7P ■ FF600R12KE7P_E ■ FF450R12KE7P ■ FF450R12KE7P_E 产品特性 最高功率密度 业界领先的