安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，1200V 最高 900A

近日，2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼举行，闻泰科技凭借研发创新实力斩获“年度车规芯片技术突破奖”，旗下1200V车规级碳化硅（SiC）MOSFET产品的核心竞争力获行业权威认可。 “年度车规芯片技术突破奖”旨在表彰在前沿领域实现重大原始创新、技术达国际先进水平，且对车规芯片产业链自主安全可控发展具有重要推动作用的企业，凸显行业对技术创新与产业价值的认可。 车规优势显著 坚定研发驱动

新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2  7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高

在新能源汽车迈向高效率、高功率密度与双向能量流动的趋势下，功率器件正成为系统性能跃迁的核心引擎。方正微电子正式推出全新一代三相全桥SiC MOS DIP32功率模块FA120D035TSCAAS（1200V35mΩ）和FA120D060TSBAAS（1200V60mΩ）为车载充电、热管理系统和辅驱系统提供更优的功率器件解决方案。 一、产品亮点 • 全自研国产车规级SiC MOSFET芯片，实现超

芯光璀璨  智汇光谷 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026 直击现场盛况 2026年4月23日，作为国内领先的碳化硅功率半导体IDM企业，深圳方正微电子有限公司携全系车规级&工业级SiC晶圆→功率器件→模组→系统解决方案，重磅亮相武汉九峰山 CSE 2026。在这场以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题的年度半导体盛会上，方正微电子以“SiC功率专家”为核心定位，全方位展现国产S

随着电动汽车与储能产业高速增长，行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块，精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核心挑战。 该模块功率循环能力较上一代提升 20 倍，系统效率最高提升 0.5%，工作温度可达 175℃，过载耐受 200℃。搭配大电流 Pr

贸泽电子开售威世VS-HOT200C080功率MOSFET模块，其半桥80V MOSFET可将导通损耗降低32%，并节省最多15%电路板空间。模块内置分流电阻器、旁路电容器和NTC热敏电阻。

1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7P ■ FF800R12KE7P_E ■ FF600R12KE7P ■ FF600R12KE7P_E ■ FF450R12KE7P ■ FF450R12KE7P_E 产品特性 最高功率密度 业界领先的

在微波频段，特定特征阻抗的四分之一传输线是个宝贝，经常被用来做匹配。 比如说，负载阻抗是100ohm，我现在想把这个100ohm匹配到50ohm怎么办？ 用一个特征阻抗为70.71ohm的，长度为四分之一波长的传输线，就可以。 为什么呢？ 首先，从传输线上的阻抗看起。 如下图所示，传输线的线长是四分之一波长，特征阻抗为Z1，负载电阻为RL。 由传输线上的电压和电流的表达式，可以推导出，传输线左侧

摩尔线程MTT S系列GPU与达美盛eZWalker Review软件完成产品兼容互认证，助力三维校审数字化变革，提升模型数据质量，降低工程建设成本。

有学生问我：老师，为什么很多产品还在用10年前甚至更老的芯片？现在不是有那么多性能更强、价格也不贵的新芯片吗？公司是不是太抠门了，还是工程师太保守了？那些老芯片主频低、内存小，留着干嘛？今天一起聊聊这个话题。 首先芯片领域的新和旧，和我们平时买手机是两个概念。 手机里的芯片，比如高通骁龙系列，确实是越新越好，性能更强、功耗更低。这是因为消费电子产品的更新换代是按月来算的。但是在工业控制、汽车电子、

我看了一下我开的那个芯片的付费专栏，第一篇文章是在2月14号，最近的更新是5月17号。 到现在为止，竟然已经过去两个多月了。 付款的同学们，也许已经忘记自己付过这款了（比如我经常这样，买了一个东西后，都忘记自己买这个东西了），也许是对我非常信任和宽容，反正一直没催我，在此表示感谢。 前几天，受了一下刺激。 从队友那得知，去年研发的产品，好不容易推上量产了，也找到一个大客户，卖了几个月后，被竞争对手

本文探讨了硬件安全与软件安全在现代系统中的重要性，强调二者协同作用才能提供全面保护。硬件安全提供基础信任、物理防护和性能加速，而软件安全则具备灵活性和适应性。

本文介绍了由中国互联网协会数字孪生技术应用工作委员会组织的“阆风同行，名企探营”活动，深入探讨了摩尔线程基于MUSA架构的全功能GPU在数字孪生领域的应用。

对于FPGA工程师来说，ARM + FPGA芯片再熟悉不过了，是日常工作中经常使用的SoC器件，兼顾软件和逻辑开发，广泛应用于各领域。 大家之前都是用进口的ARM + FPGA SoC，而这回，终于有一款“国产”、“便宜”、“好用”的ARM + FPGA SoC了。 国产FPGA引领型企业安路科技，强势推出ARM + FPGA SoC产品DR1M90，对嵌入式工业领域来说，是一个标志性的大事件。

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。 晶闸管是NPNP四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极；晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 晶闸管

中微爱芯推出高性能单端输入单声道音频功率放大器芯片AiP1309，集成电容式升压、智能防破音和AB/D类切换技术，适用于多种应用场景。

HFSS微带天线设计操作 首先创建微天带线模型 主要讲一下参数查看的过程吧，建立模型的过程和之前相差不多 首先查看一下天线的谐振点，在此假设我们要设置的天线谐振点是2.45GHz 谐振点参数如图所示： 由图我们可以发现谐振点离我们预期的要求偏差还是有点大的，所以要进行优化，但是在优化之前，我们得先确定影响谐振点的主要参数是什么。 由于板子的材料，介质之类是确定的，可以改变的一般是微带线的长度

FPGA在航天领域的应用 01 引言 现场可编程门阵列 ( Field Programmable Gate Arrays，FPGA)是一种可编程使用的信号处理器件，用户可通过改变配置信息对其功能进行定义，以满足设计需求。与传统数字电路系统相比，FPGA具有可编程、高集成度、高速和高可靠性等优点，通过配置器件内部的逻辑功能和输入/输出端口，将原来电路板级的设计放在芯片中进行，提高了电路性能，降低了

经常有同学问：老师，手册里pull-up是什么意思？register在哪一页？通信协议、寄存器详解全是英文。开发的时候为了搞清一个状态标志位的含义，得逐词翻译、反复比对。为什么很多国产芯的说明书却常常没有中文版？今天就来聊聊这个话题。 一、为啥中文手册少 1. 国际惯例的惯性 芯片设计是个国际化的领域。从设计软件、核心IP到行业标准文档，英语长期是主导语言。很多国产芯片厂商起步阶段也是会借鉴或是基