SiC MOSFET的并联设计要点
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参
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# PCB 布局
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电源与射频的悄然融合
曾几何时，电源工程师与射频（RF）工程师分处走廊的两端。 射频团队对噪声系数和线性度的讨论，仿佛这关乎人类文明的存亡。而电源团队则忧心于电压、电流，以及是否会有部件过热。他们共用同一块PCB，却未必拥有共同的世界观。若频谱中出现杂散信号，那显然是射频问题；若有部件过热，则毫无疑问归咎于电源。 生活曾经如此简单 如今，那些走廊间的界限正逐渐消失。现代转换器切换速度极快，使得布局中的寄生参数如同传输线