新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装
新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件,在第一代技术优势基础上实现显著提升,为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能,广泛适用于各类AC