用于固态变压器 (SST) 的 EasyPACK™ 模块介绍
本视频聚焦固态变压器（SST）应用，介绍英飞凌搭载CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™功率模块的解决方案。SST正在重塑高压输电与AI数据中心供电架构，设备需在快速、持续的动态负载下稳定运行并满足15–20年寿命。基于.XT扩散焊技术，EasyPACK™模块的功率循环能力提升20倍以上，在严苛工况下保持卓越稳定性；高效SiC MOSFET设计提升功率密度并简化拓扑，更适配SST。英飞
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# CoolSiC MOSFET
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英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。 01 先澄清一个误区：SiC 不是 “不能短路” 先看一组行业常见数据： 常规工业级 IGBT：短路耐受
英飞凌 Easy C 系列：.XT 扩散焊 + CoolSiC™ MOSFET G2，重塑大功率充电与储能方案
随着电动汽车与储能产业高速增长，行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块，精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核心挑战。 该模块功率循环能力较上一代提升 20 倍，系统效率最高提升 0.5%，工作温度可达 175℃，过载耐受 200℃。搭配大电流 Pr
英飞凌与为光能源深度携手，共筑固态变压器（SST）高可靠新未来
近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块
新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装
新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC
IPAC大会全面升级，2026年开启双技术峰会！
自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年，IPAC大会全面升级，开启双技术峰会新篇章！为进一步聚焦零碳技术前沿，英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会，诚邀您共襄盛举： 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 亮点聚焦：