光刻过程中的PEB工艺是什么？有什么作用？
本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻
制造工艺技术专题 · 共 2 篇内容
# 化学放大胶
「化学放大胶」是电子工程与制造工艺领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 2 篇关于 化学放大胶 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年05月）。核心收录议题涵盖《光刻过程中的PEB工艺是什么？有什么作用？》《Negative Tone Development (NTD)介绍》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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Negative Tone Development (NTD)介绍
本文主要讲述NTD（负显影）。 在半导体光刻工艺中，传统正性胶配合碱性水溶液显影（即正显影，PTD）是主流技术。然而，随着工艺节点不断缩小，使用正显影来印刷小尺寸沟槽和通孔变得更具挑战性，因为这类图形通常需要暗场掩模，其光学图像对比度较差。 负显影（Negative Tone Development，NTD）是一种相对较新但至关重要的显影技术。它使用非极性有机溶剂作为显影液，选择性地溶解并去除未