SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
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# 反向恢复电荷
关于「反向恢复电荷」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列
新品 CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结 MOSFET 650V系列 650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列产品，CoolMOS™ CFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性，其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%，并拥有业界最低的反向恢复时间(trr)，底部散热封装最大程度降低导通损耗，