第三代宽禁带半导体高频功率转换 · 共 0 篇内容

# 氮化镓

氮化镓(GaN)具备高电子迁移率与零反向恢复电荷特性,允许开关电源工作在数百 kHz 至 MHz 级高频,显著缩小变压器与母线电容体积。已在大功率 PD 快充、数据中心服务器钛金级 PSU、激光雷达窄脉冲驱动与光伏微型逆变器中大规模商用。

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