ST携手英伟达推出全新12V/6V架构，扩容800V数据中心电源产品
12V和6V解决方案完善了意法半导体已有的800VDC转50V转换级解决方案未覆盖的电压区间，并在英伟达GTC 2026大会上亮相 现在，意法半导体拥有完整的800VDC配电链路的全链方案组合，能够满足千兆瓦级计算基础设施的电力需求 这些解决方案融合了意法半导体的功率、模拟和混合信号技术，并在芯片和封装级采用定制化设计 近日，意法半导体（ST）宣布扩展其800VDC功率转换解决方案
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# 氮化镓
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英飞凌：我赢了！英诺赛科：我也赢了！
2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技
美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人
功率升级，尺寸瘦身：英飞凌CoolGaN™ 低压氮化镓晶体管与PSOC™ Control C3微控制器重塑低压电机控制
在电机控制设计中，工程师们始终面临一个经典难题：如何在有限的空间内，实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应？ 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗，往往不得不在性能与体积之间妥协。如今，英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合，为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统：CoolGaN™的价值飞轮 与硅基
润新微电子氮化镓业务全面提速：技术迭代与市场突破双轮驱动
近日，华润微电子功率集成事业群旗下润新微电子（大连）有限公司（以下简称“润新微电子”）重磅推出第四代D-mode GaN系列新品。该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、人形机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。 市场风口已至：氮化镓进入高价值场景渗透期 氮化镓功率器件凭借高效率