技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
随着全球电源需求正出现前所未有的激增,设计人员不断面临挑战,需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸,并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性,正在推动一场变革,引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断,从而助
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随着全球电源需求正出现前所未有的激增,设计人员不断面临挑战,需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸,并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性,正在推动一场变革,引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断,从而助
在数据中心设计的新纪元,人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式,以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化,而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心,其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构,进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。 剖析AI数据中心的电力挑战 相较于早期的云基础设施,AI数据中心呈现出两大显