英飞凌与恩菲斯开发900V GaN开关，面向AI数据中心
英飞凌向恩菲斯能源供应900V氮化镓双向开关，用于AI数据中心电源系统的固态变压器。双方称CoolGaN为全球首款该电压等级单片GaN双向开关，可提升效率与功率密度。
第三代宽禁带半导体高频功率转换 · 共 6 篇内容
# 氮化镓
氮化镓（GaN）具备高电子迁移率与零反向恢复电荷特性，允许开关电源工作在数百 kHz 至 MHz 级高频，显著缩小变压器与母线电容体积。已在大功率 PD 快充、数据中心服务器钛金级 PSU、激光雷达窄脉冲驱动与光伏微型逆变器中大规模商用。 纳米网专题目前已聚合 6 篇深度内容（覆盖电源管理等方向，最近更新于2026年10月），代表性技术议题包括《英飞凌与恩菲斯开发900V GaN开关，面向AI数据中心》《硬科技新风口：AI、机器人与新能源，为何都在“抢”GaN？》等。
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硬科技新风口：AI、机器人与新能源，为何都在“抢”GaN？
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搞懂这些材料 对设计电源和功率器件很重要！
本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景，梳理了不同材料的优势与应用边界，同时针对性给出了碳化硅与氮化镓在功率电路设计中的关键注意事项及核心设计要点，指出其演进方向，即为全球能源转型与碳中和目标下的电力电子技术革新筑牢基础。 随着全球对高效能电源转换技术的需求不断提升，半导体材料在电源领域的应用日益重要。从传统的硅（Si）功率元器件，到近年来快速
太阳能逆变器市场：第三代半导体与IGBT的角力，胜算几何？
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技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓（GaN）以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关（BDS）通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助
大咖谈技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点
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