CMOS制造流程与关键工艺约束
CMOS 工艺是集成电路核心技术，核心是在同一块硅片上集成 NMOS 和 PMOS。本文梳理其核心流程，聚焦工艺复杂度、尺寸偏差、锁定效应、静电保护四大关键问题，解析行业应对策略。 CMOS工艺 CMOS工艺的重点，是在同一块硅片上同时做出NMOS和PMOS，常见做法是先在n型衬底中形成p阱，作为NMOS的体区；PMOS则直接做在n型区域中。 接着划分有源区和隔离区，并在有源区表面形成栅氧化层和
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