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先进封装推动高带宽内存市场2032年达159.9亿美元

核心导读 Mordor Intelligence报告称,高带宽内存市场规模将从2027年的50亿美元增至2032年的159.9亿美元,复合年增长率26.18%,AI服务器、GPU部署和先进封装推动增长。

据Mordor Intelligence发布的最新报告,高带宽内存市场规模预计将从2027年的50亿美元增至2032年的159.9亿美元,预测期(2027年至2032年)复合年增长率为26.18%。2026年该市场规模为39.8亿美元,反映出人工智能(AI)服务器、高性能计算、数据中心和先进计算系统对高性能内存解决方案的需求持续增长。

报告指出,AI服务器部署扩大、GPU搭载率提升、内存容量需求增加,以及2.5D半导体封装技术进步,正在为全球高带宽内存行业创造机遇。云服务提供商和半导体制造商正越来越多地将高带宽内存(HBM)纳入先进计算平台,以支持AI训练、推理和数据密集型工作负载。尽管加速器部署增长和下一代内存技术支持市场扩张,但制造良率挑战、先进封装产能有限、散热限制以及地缘政治相关出口管制仍持续影响供应和采用。

塑造未来增长的高带宽内存市场主要趋势

AI服务器扩展和GPU部署推动HBM需求

对AI基础设施和超大规模数据中心的投资增加,正在增强对高带宽内存的需求。AI加速器和图形处理器需要具有更大带宽的高容量内存,以处理大型数据集并支持日益复杂的工作负载。主要科技公司正通过搭载大量HBM容量的先进GPU平台扩展计算基础设施。例如,英伟达GB200 NVL72系统集成72颗Blackwell GPU和13.4TB HBM3E内存。AI服务器和基于加速器的计算系统部署不断增加,正在为HBM制造商增加堆栈出货量并供应下一代内存配置创造机遇。

先进半导体封装和更高内存容量拓展机遇

HBM与先进处理器的集成度不断提升,正在支持对复杂半导体封装技术的需求。硅中介层和2.5D封装方案使内存堆栈能够与计算芯片集成,提升数据传输能力并支持高性能应用。然而,CoWoS和SoIC等先进封装技术的产能有限,可能影响加速器生产和HBM交付计划。制造商正在投资新增封装设施和制造能力,以应对这些限制。更高容量内存堆栈的采用不断增加,也为供应商提升每颗处理器内存容量并支持要求更高的计算应用创造机遇。

HBM3E和下一代内存技术支持市场扩张

堆叠内存架构的进步正在为制造商推出更高容量和更高带宽产品创造机遇。包括HBM3E和HBM4在内的下一代内存技术发展,正在支持内存性能、数据传输速度和存储容量提升。先进内存配置采用率提高,正在促使半导体制造商扩大生产能力,并强化其在下一代AI计算平台中的地位。

Mordor Intelligence高级研究经理Ashish Gautam表示:“HBM市场正通过AI基础设施扩展、GPU部署增加,以及高性能计算系统需求上升获得动力。每颗加速器内存需求增长、堆叠内存架构进步,以及对先进半导体封装的投资,正在为内存制造商和技术供应商创造机遇。Mordor Intelligence的研究考察了影响全球高带宽内存行业的主要市场趋势、区域机遇、供应链发展和竞争战略。”

高带宽内存市场区域展望

亚太仍是高带宽内存市场的关键增长中心,这得益于主要内存制造商的存在、半导体生产能力扩展,以及先进封装基础设施投资增加。韩国企业如SK海力士和三星电子正在强化HBM制造能力,以满足全球AI加速器和数据中心制造商不断增长的需求。韩国和新加坡在HBM制造与先进封装设施方面的投资,也有望支持区域供应扩张。

北美对高带宽内存的需求正在增加,驱动力包括AI基础设施扩展、超大规模数据中心投资和先进计算部署。主要科技公司正在增加对基于GPU的计算平台和定制AI加速器的投资,为HBM供应商和半导体封装服务商创造机遇。对本土半导体制造和先进封装设施的投资增加,也在进一步支持供应链发展。来自云服务提供商、AI研究机构和高性能计算设施的需求,也在增强该区域市场机遇。

阅读全文,请访问:https://www.globenewswire.com/news-release/2026/11/06/3397274/0/en/high-bandwidth-memory-market-outlook-2032-usd-15-99-billion-valuation-driven-by-advancements-in-semiconductor-packaging-mordor-intelligence.html

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来源: 海外媒体

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