SiC SBD：第三代半导体的破局者
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能，而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中，肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件，相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用，尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同，SBD通过金
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# 击穿电压
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芯片中的EPI Layer是什么？有什么作用？
外延层的基本概念 外延（Epitaxy）是指在经过切、磨、抛等加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程。这层新生单晶层按衬底晶相延伸生长，故称为外延层（Epitaxial Layer），厚度通常为几微米。外延层与衬底可以是同一材料，也可以是不同材料，分别称为同质外延和异质外延。长了外延层的衬底称为外延片。外延生长的方法包括分子束外延（MBE）、金属有机CVD（MOCVD）和气相外延（VPE）等。