为什么MEMS工艺里面很少用到金属W？
钨具备高熔点、高模量等优异物性，却并非 MEMS 主流金属材料，受制于刻蚀、沉积带来的工艺集成难题；依托独有优势，它在诸多细分场景拥有不可替代价值。 在微机电系统（MEMS）的制造版图中，金属钨（W）的身影远不如铝、金或铜那般频繁，这种低调并非源于其性能短板，而是工艺兼容性与应用场景共同筛选的结果。从材料特性来看，钨拥有高达3422℃的熔点、4.5×10⁻⁶/℃的热膨胀系数以及超过400GPa的杨
标签专题 · 共 2 篇文章
# 化学气相沉积
关于「化学气相沉积」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
2
篇文章
7
人关注
133
次浏览
外延与CVD之间的区别
本文介绍了薄膜沉积工艺中外延和化学气相沉积的区别。 在芯片制造的薄膜沉积工艺中，有两种技术常常被相提并论，却又有着本质的区别——外延和化学气相沉积。它们就像一对表兄弟，同属“气相生长”家族，但性格迥异，各有所长。有时候，它们泾渭分明；有时候，又能在特定条件下互相转化、共存共荣。 一、本质区别：一个是复制，一个是涂鸦 化学气相沉积（CVD）是最常见的薄膜沉积方法。它的原理很简单：将含有目标元素的气体