外延与CVD之间的区别
本文介绍了薄膜沉积工艺中外延和化学气相沉积的区别。 在芯片制造的薄膜沉积工艺中，有两种技术常常被相提并论，却又有着本质的区别——外延和化学气相沉积。它们就像一对表兄弟，同属“气相生长”家族，但性格迥异，各有所长。有时候，它们泾渭分明；有时候，又能在特定条件下互相转化、共存共荣。 一、本质区别：一个是复制，一个是涂鸦 化学气相沉积（CVD）是最常见的薄膜沉积方法。它的原理很简单：将含有目标元素的气体
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本文介绍了薄膜沉积工艺中外延和化学气相沉积的区别。 在芯片制造的薄膜沉积工艺中，有两种技术常常被相提并论，却又有着本质的区别——外延和化学气相沉积。它们就像一对表兄弟，同属“气相生长”家族，但性格迥异，各有所长。有时候，它们泾渭分明；有时候，又能在特定条件下互相转化、共存共荣。 一、本质区别：一个是复制，一个是涂鸦 化学气相沉积（CVD）是最常见的薄膜沉积方法。它的原理很简单：将含有目标元素的气体