TaC涂层是什么？在半导体制造中有什么作用？
碳化钽（TaC）涂层凭借超高温稳定性与优异化学惰性，成为半导体高温工艺的关键防护材料。本文解析其 CVD 制备工艺，聚焦 SiC 长晶、GaN/SiC 外延等核心应用场景，梳理行业需求逻辑与国产替代趋势。 碳化钽（TaC）属于超高温陶瓷材料，熔点高达约3880℃，密度约13.9g/cm³，热导率约22W/(m·K)，热膨胀系数约6.3×10⁻⁶/K，对硅蒸汽、氢气、氨气等具有突出的化学惰性。碳化
标签专题 · 共 2 篇文章
# CVD
关于「CVD」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
2
篇文章
7
人关注
133
次浏览
外延与CVD之间的区别
本文介绍了薄膜沉积工艺中外延和化学气相沉积的区别。 在芯片制造的薄膜沉积工艺中，有两种技术常常被相提并论，却又有着本质的区别——外延和化学气相沉积。它们就像一对表兄弟，同属“气相生长”家族，但性格迥异，各有所长。有时候，它们泾渭分明；有时候，又能在特定条件下互相转化、共存共荣。 一、本质区别：一个是复制，一个是涂鸦 化学气相沉积（CVD）是最常见的薄膜沉积方法。它的原理很简单：将含有目标元素的气体