制造工艺技术专题 · 共 1 篇内容

# 背面互连

「背面互连」是电子工程与制造工艺领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 1 篇关于 背面互连 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料(最近更新于 2026年05月)。核心收录议题涵盖《CFET cells - FEOL、BEOL 和背面互连的介绍》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。

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CFET cells - FEOL、BEOL 和背面互连的介绍

CFET cells - FEOL、BEOL 和背面互连的介绍

本文主要讲述CFET cells。 在现代半导体技术中,随着工艺节点的不断缩小和对性能、功耗的严格要求,CFET(Complementary FET) 技术逐渐成为一个研究热点。CFET 是基于互补型场效应晶体管(CMOS)技术的创新,采用了垂直集成的结构,有效提高了集成度和性能。为了实现CFET技术的全面应用,前端工艺(FEOL)、后端工艺(BEOL)以及背面互连(Backside Interc